深圳黑晶光电技术有限公司请求不公布姓名获国家专利权
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龙图腾网获悉深圳黑晶光电技术有限公司申请的专利一种TCO薄膜制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120769596B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-07发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511269795.0，技术领域涉及：H10F71/00；该发明授权一种TCO薄膜制备方法是由请求不公布姓名;请求不公布姓名;请求不公布姓名;请求不公布姓名;请求不公布姓名设计研发完成，并于2025-09-08向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种TCO薄膜制备方法在说明书摘要公布了：本申请公开一种TCO薄膜制备方法，在沉积完TCO靶材的基板上依次进行H₂、N₂、O₂三步退火，通过“还原－缓冲－钝化”的时序设计，H₂气氛可以有效激活氧空位提高TCO薄膜的载流子迁移率，N₂气氛提高缓冲环境可以促进退火过程中的晶粒生长，阻止H2O2之间的交叉污染，提高利用O2气氛钝化的效果，从而提高TCO薄膜的导电性、透光率和结构稳定性。
本发明授权一种TCO薄膜制备方法在权利要求书中公布了：1.一种TCO薄膜制备方法，其特征在于，包括步骤：在一基片上沉积TCO靶材，依次在H2、N2、O2气氛氛围进行退火，得到TCO薄膜； 每个气氛氛围的退火温度为150～300℃，退火时间5～30min； 所述H2气氛氛围中通入的气体流量为100~500sccm； 所述N2气氛氛围中通入的气体流量为100~500sccm； 所述O2气氛氛围中通入的气体流量为100~500sccm。
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