拓荆创益(沈阳)半导体设备有限公司李丹获国家专利权
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龙图腾网获悉拓荆创益(沈阳)半导体设备有限公司申请的专利半导体清洁装置以及具有清洁装置的半导体工艺设备获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223518167U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-07发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202422039743.1，技术领域涉及：B08B7/00；该实用新型半导体清洁装置以及具有清洁装置的半导体工艺设备是由李丹;黄明策设计研发完成，并于2024-08-21向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体清洁装置以及具有清洁装置的半导体工艺设备在说明书摘要公布了：本实用新型提供了一种半导体清洁装置以及具有清洁装置的半导体工艺设备，所述半导体清洁装置包括：第一远程等离子体源清洁系统以及第二远程等离子体源清洁系统。所述第一远程等离子体源清洁系统以及第二远程等离子体源清洁系统与一反应腔连接，所述反应腔的内部具有基座、顶部具有第一进气口、侧壁具有第二进气口；所述第一远程等离子体源清洁系统连通所述第一进气口；所述第二远程等离子体源清洁系统连通所述第二进气口；所述第二进气口到所述反应腔的底部的垂直高度小于所述基座的下表面到所述反应腔的底部的垂直高度；所述第二远程等离子体源清洁系统共用所述第一远程等离子体源清洁系统的清洁气体源。
本实用新型半导体清洁装置以及具有清洁装置的半导体工艺设备在权利要求书中公布了：1.一种半导体清洁装置，其特征在于，所述半导体清洁装置包括： 第一远程等离子体源清洁系统以及第二远程等离子体源清洁系统； 所述第一远程等离子体源清洁系统以及第二远程等离子体源清洁系统与一反应腔连接，所述反应腔的内部具有基座、顶部具有第一进气口、侧壁具有第二进气口； 所述第一远程等离子体源清洁系统连通所述第一进气口； 所述第二远程等离子体源清洁系统连通所述第二进气口； 所述第二进气口到所述反应腔的底部的垂直高度小于所述基座的下表面到所述反应腔的底部的垂直高度；所述第二远程等离子体源清洁系统共用所述第一远程等离子体源清洁系统的清洁气体源。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人拓荆创益(沈阳)半导体设备有限公司，其通讯地址为：110171 辽宁省沈阳市浑南区水家900号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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