睿创微电子(烟台)有限公司刘继伟获国家专利权
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龙图腾网获悉睿创微电子(烟台)有限公司申请的专利半导体封装组件、MEMS探测器及电子设备获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223522296U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-07发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202423034893.X，技术领域涉及：B81B7/00；该实用新型半导体封装组件、MEMS探测器及电子设备是由刘继伟;李同毅;李松华;李晓芝;王兴祥;胡汉林设计研发完成，并于2024-12-09向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体封装组件、MEMS探测器及电子设备在说明书摘要公布了：本申请提供一种半导体封装组件、MEMS探测器及电子设备，所述半导体封装组件包括第一封装结构和第二封装结构。所述第一封装结构包括第一基板、依次叠加设在所述第一基板上的第一金属化层和第一键合结构层；所述第一键合结构层包括第一主体层和第一保护层。所述第二封装结构包括第二基板、依次叠加设在所述第二基板上的第二金属化层和第二键合结构层；所述第二键合结构层包括第二主体层和第二保护层。所述第一键合结构层用于和所述第二键合结构层键合以形成封装结构，所述第一主体层和所述第二主体层分别为铜层，所述第一保护层和所述第二保护层分别为惰性金属层。本申请提供的半导体封装组件、MEMS探测器及电子设备降低了封装成本，简化了封装工艺。
本实用新型半导体封装组件、MEMS探测器及电子设备在权利要求书中公布了：1.一种半导体封装组件，其特征在于，包括第一封装结构1和第二封装结构2； 所述第一封装结构1包括第一基板11、依次叠加设在所述第一基板11上的第一金属化层12和第一键合结构层13；所述第一键合结构层13包括第一主体层131和第一保护层132； 所述第二封装结构2包括第二基板21、依次叠加设在所述第二基板21上的第二金属化层22和第二键合结构层23；所述第二键合结构层23包括第二主体层231和第二保护层232； 所述第一键合结构层13用于和所述第二键合结构层23键合以形成封装结构，所述第一主体层131和所述第二主体层231分别为铜层，所述第一保护层132和所述第二保护层232分别为惰性金属层。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人睿创微电子(烟台)有限公司，其通讯地址为：264000 山东省烟台市中国(山东)自由贸易试验区烟台片区福莱山街道万寿山路5号内2号楼3001号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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