长江存储科技有限责任公司姚明彩获国家专利权
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龙图腾网获悉长江存储科技有限责任公司申请的专利一种化学气相沉积腔室和生产系统获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223522661U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-07发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202422735513.9，技术领域涉及：C23C16/44；该实用新型一种化学气相沉积腔室和生产系统是由姚明彩;涂飞飞;王新胜设计研发完成，并于2024-11-08向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种化学气相沉积腔室和生产系统在说明书摘要公布了：本申请实施例提供一种化学气相沉积腔室和生产系统，属于半导体技术领域。电场发生器包括至少一个电极和承载面，电场发生器位于腔室主体内，承载面与对应电极间隔布置，承载面与对应电极绝缘，喷头位于腔室主体内，等离子体发生器位于腔室主体内。半导体晶片和电极之间形成的电场，在电场的作用下，通过化学气相沉积法在半导体晶片上直接生长纳米线，纳米线生产过程简单，与现有工艺兼容性好，便于纳米线生产线集成，通过化学气相沉积法在半导体晶片上生长纳米线，不局限于纳米线材料本身，可以是含有相关元素的其他化合物反应生成纳米线材料，对纳米线材料种类限制较小，纳米线材料选择更广泛。
本实用新型一种化学气相沉积腔室和生产系统在权利要求书中公布了：1.一种化学气相沉积腔室，其特征在于，包括： 腔室主体； 电场发生器，包括至少一个电极和承载面，所述电场发生器位于所述腔室主体内，所述承载面与对应所述电极间隔布置，所述承载面与对应所述电极绝缘； 喷头，位于所述腔室主体内； 等离子体发生器，位于所述腔室主体内。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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