PEP创新私人有限公司周辉星获国家专利权
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龙图腾网获悉PEP创新私人有限公司申请的专利半导体封装及功率模块获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223527180U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-07发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202422868651.4，技术领域涉及：H01L23/498；该实用新型半导体封装及功率模块是由周辉星;S·K·穆尼拉提南设计研发完成，并于2024-11-25向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体封装及功率模块在说明书摘要公布了：本申请公开了一种半导体封装及功率模块，其中所有互连均由直接铜directCopper形成。本申请还公开了包含所述半导体封装的功率模块。因此，所述功率模块适合用作高效率的功率模块。此外，直接铜互连还增强了半导体封装的散热，使功率模块的操作更加可靠，特别是在高温下。所述功率模块还包括一基板例如直接铜键合DBC基板或陶瓷基板，其上安装有所述半导体封装；耦接至所述基板的多个外部连接机构，用于电引出所述功率模块；以及至少一信号引线，安装在所述基板上。
本实用新型半导体封装及功率模块在权利要求书中公布了：1.一种用于功率模块的半导体封装，其特征在于，包括： 至少一高侧半导体裸片，其具有一高侧活性面和一高侧非活性面； 至少一低侧半导体裸片，其具有一低侧活性面和一低侧非活性面； 多个垂直结构，其围绕所述至少一个高侧半导体裸片和至少一个低侧半导体裸片，其中每个垂直结构具有与所述高侧活性面和低侧活性面相对准的前表面，以及与高侧非活性面和低侧非活性面对齐的后表面； 一模塑层，用于封装所述至少一个高侧半导体裸片和至少一个低侧半导体裸片、以及所述多个垂直结构； 一前侧构建层，其耦合至所述至少一个高侧半导体裸片的高侧活性面和至少一个低侧半导体裸片的低侧活性面、以及所述垂直结构的前表面； 一背侧构建层，其耦合至所述至少一个高侧半导体裸片的高侧非活性面和至少一个低侧半导体裸片的低侧非活性面、以及所述垂直结构的后表面；和 一耦合到所述背侧构建层的外部连接层。
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