成都先进功率半导体股份有限公司邱志述获国家专利权
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龙图腾网获悉成都先进功率半导体股份有限公司申请的专利一种提高器件栅氧稳定性的芯片封装集成结构获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223527181U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-07发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202422985673.9，技术领域涉及：H01L25/18；该实用新型一种提高器件栅氧稳定性的芯片封装集成结构是由邱志述;张明聪;张旭;韩深;李欢;肖季设计研发完成，并于2024-12-04向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种提高器件栅氧稳定性的芯片封装集成结构在说明书摘要公布了：本实用新型涉及半导体封装技术领域，具体涉及一种提高器件栅氧稳定性的芯片封装集成结构，其中，包括双向TVS二极管、MOSFET芯片或者IGBT芯片，所述双向TVS二极管并联于所述IGBT芯片的G极和E极之间或者所述MOSFET芯片的G极和S极之间。本实用新型通过在MOSFET芯片的G极和S极之间或者IGBT芯片的G极和E极之间并联双向TVS二极管芯片，能够提高器件栅氧稳定性，使MOS或IGBT产品栅氧抗电压冲击能力增强，不容易发生栅氧击穿失效，提高器件的抗ESD能力，并且不容易发生EAS失效。
本实用新型一种提高器件栅氧稳定性的芯片封装集成结构在权利要求书中公布了：1.一种提高器件栅氧稳定性的芯片封装集成结构，其特征在于，包括双向TVS二极管1、MOSFET芯片2或者IGBT芯片3，所述双向TVS二极管1并联于所述IGBT芯片3的G极和E极之间或者所述MOSFET芯片2的G极和S极之间。
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