深圳市振华微电子有限公司黄国兵获国家专利权
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龙图腾网获悉深圳市振华微电子有限公司申请的专利一种MOS隔离驱动电路获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223527970U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-07发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202422856664.X，技术领域涉及：H02M1/08；该实用新型一种MOS隔离驱动电路是由黄国兵;陶志园设计研发完成，并于2024-11-22向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种MOS隔离驱动电路在说明书摘要公布了：本实用新型涉及电路设计技术领域，尤其涉及一种MOS隔离驱动电路，包括：变压器、第一MOS管和第二MOS管；变压器包括：第一线圈和第二线圈；第一线圈包括：第一脚位和第二脚位；第二线圈包括：第三脚位和第四脚位；第一线圈的第二脚位与第一MOS管的漏极连接；第二线圈的第四脚位与第二MOS管的栅极连接。本实用新型通过变压器的两个线圈之间的电磁感应关系所实现的变压器耦合方式，省去了传统的隔直电容，从而避免了输出驱动电压幅值随占空比变化的问题。同时，由于没有隔直电容，输出电压的稳定性仅依赖于变压器初级线圈的感应电压，感应电压与输入电压成比例关系，从而确保了驱动电压的稳定性，不受占空比的影响。
本实用新型一种MOS隔离驱动电路在权利要求书中公布了：1.一种MOS隔离驱动电路，其特征在于，包括：变压器、第一MOS管和第二MOS管； 所述变压器包括：第一线圈和第二线圈；所述第一线圈包括：第一脚位和第二脚位；所述第二线圈包括：第三脚位和第四脚位； 所述第一线圈的第二脚位与所述第一MOS管的漏极连接； 所述第二线圈的第四脚位与所述第二MOS管的栅极连接。
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