杰平方半导体(上海)有限公司周健获国家专利权
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龙图腾网获悉杰平方半导体(上海)有限公司申请的专利一种新型高功率密度NPN器件结构获国家实用新型专利权,本实用新型专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN223528411U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-07发布的实用新型授权公告中获悉:该实用新型的专利申请号/专利号为:202422606647.0,技术领域涉及:H10D10/60;该实用新型一种新型高功率密度NPN器件结构是由周健;王帅旗;张代中设计研发完成,并于2024-10-28向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种新型高功率密度NPN器件结构在说明书摘要公布了:本实用新型公开了一种新型高功率密度NPN器件结构,属于半导体器件技术领域,该新型高功率密度NPN器件结构,包括第一导电类型衬底和至少两个ZP埋层,所述ZP埋层设置在所述第一导电类型衬底中的预定深度处,所述ZP埋层之间设置有第一导电类型埋层,所述ZP埋层的顶部设置有ZP阱区,所述ZP阱区之间通过第一导电类型离子区间隔,所述ZP阱区的顶部间隔布置有两个第一导电类型区。通过在传统NPN器件结构的基础上进行改进,实现器件优秀的电流密度特性,以及优秀的面积性能效率。
本实用新型一种新型高功率密度NPN器件结构在权利要求书中公布了:1.一种新型高功率密度NPN器件结构,其特征在于,包括第一导电类型衬底和至少两个ZP埋层,所述ZP埋层设置在所述第一导电类型衬底中的预定深度处,所述ZP埋层之间设置有第一导电类型埋层,所述ZP埋层的顶部设置有ZP阱区,所述ZP阱区之间通过第一导电类型离子区间隔,所述ZP阱区的顶部间隔布置有两个第一导电类型区。
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