英诺赛科(苏州)半导体有限公司张雪获国家专利权
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龙图腾网获悉英诺赛科(苏州)半导体有限公司申请的专利一种半导体器件获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223528412U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-07发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202422975348.4，技术领域涉及：H10D30/47；该实用新型一种半导体器件是由张雪设计研发完成，并于2024-12-03向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种半导体器件在说明书摘要公布了：本实用新型实施例公开了一种半导体器件。该半导体器件包括：衬底；缓冲层，位于衬底的一侧；沟道层，位于缓冲层远离衬底的一侧；势垒层，位于沟道层远离衬底的一侧；栅极结构，包括栅极帽层、栅极渐变插入层和栅极金属层；在衬底指向栅极结构的方向上，栅极帽层、栅极渐变插入层和栅极金属层依次设置；栅极金属层覆盖部分栅极渐变插入层；源极位于势垒层远离衬底的一侧；漏极位于势垒层远离衬底的一侧。本实用新型实施例的技术方案，通过在栅极结构的栅极帽层和栅极金属层之间设置栅极渐变插入层，提升栅极耐压，改善栅极电场分布，提升栅极可靠性。
本实用新型一种半导体器件在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件，其特征在于，包括： 衬底； 缓冲层；所述缓冲层位于所述衬底的一侧； 沟道层；所述沟道层位于所述缓冲层远离所述衬底的一侧； 势垒层；所述势垒层位于所述沟道层远离所述衬底的一侧； 栅极结构；所述栅极结构包括栅极帽层、栅极渐变插入层和栅极金属层；在所述衬底指向所述栅极结构的方向上，所述栅极帽层、所述栅极渐变插入层和栅极金属层依次设置；所述栅极金属层覆盖部分所述栅极渐变插入层； 源极；所述源极位于所述势垒层远离所述衬底的一侧； 漏极；所述漏极位于所述势垒层远离所述衬底的一侧。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人英诺赛科(苏州)半导体有限公司，其通讯地址为：215000 江苏省苏州市吴江区汾湖高新开发区新黎路98号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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