湖北江城芯片中试服务有限公司肖冲获国家专利权
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龙图腾网获悉湖北江城芯片中试服务有限公司申请的专利半导体结构和存储器获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223528413U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-07发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202422873569.0，技术领域涉及：H10D62/10；该实用新型半导体结构和存储器是由肖冲设计研发完成，并于2024-11-22向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构和存储器在说明书摘要公布了：本实用新型实施例提供一种半导体结构和存储器。所述半导体结构包括：衬底；设于所述衬底一侧的栅极结构，所述栅极结构包括栅导电层以及设于所述衬底和所述栅导电层之间的栅介质层；设于所述栅极结构相对两侧的隔离结构，所述隔离结构包括第一空腔、第二空腔以及设于所述第一空腔和所述第二空腔之间的隔离层，所述第一空腔设于所述栅极结构和所述隔离层之间且暴露出所述栅极结构的侧壁。
本实用新型半导体结构和存储器在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构，其特征在于，所述半导体结构包括： 衬底； 设于所述衬底一侧的栅极结构，所述栅极结构包括栅导电层以及设于所述衬底和所述栅导电层之间的栅介质层； 设于所述栅极结构相对两侧的隔离结构，所述隔离结构包括第一空腔、第二空腔以及设于所述第一空腔和所述第二空腔之间的隔离层，所述第一空腔设于所述栅极结构和所述隔离层之间且暴露出所述栅极结构的侧壁。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人湖北江城芯片中试服务有限公司，其通讯地址为：430000 湖北省武汉市武汉东湖新技术开发区光谷一路227号3号楼3号(自贸区武汉片区)；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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