新存科技(武汉)有限责任公司孟洁云获国家专利权
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龙图腾网获悉新存科技(武汉)有限责任公司申请的专利相变存储器获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223528443U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-07发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202423022806.9，技术领域涉及：H10N70/20；该实用新型相变存储器是由孟洁云;刘峻;付志成设计研发完成，并于2024-12-06向国家知识产权局提交的专利申请。
本相变存储器在说明书摘要公布了：本申请提供一种相变存储器，该相变存储器包括：相变存储单元；第一阻挡层，覆盖于相变存储单元的侧壁；第二阻挡层，覆盖于第一阻挡层远离相变存储单元的一侧；第一阻挡层和第二阻挡层中至少一者为叠层结构；叠层结构包括第一子阻挡层、第二子阻挡层以及位于第一子阻挡层和第二子阻挡层之间的隔热层，隔热层的热导率小于第一子阻挡层和第二子阻挡层的热导率。本申请利用第一阻挡层和第二阻挡层对相变存储单元的侧壁进行保护，同时，利用热导率较高的第一子阻挡层和或第二子阻挡层对相变存储单元进行散热，利用热导率较低的隔热层进行隔热，提高相变存储器的热场分布均匀性，以改善局部晶化或非晶化反转引起的热串扰或写入干扰等问题。
本实用新型相变存储器在权利要求书中公布了：1.一种相变存储器，其特征在于，包括： 相变存储单元； 第一阻挡层，覆盖于所述相变存储单元的侧壁； 第二阻挡层，覆盖于所述第一阻挡层远离所述相变存储单元的一侧； 所述第一阻挡层和所述第二阻挡层中至少一者为叠层结构； 所述叠层结构包括第一子阻挡层、第二子阻挡层以及位于所述第一子阻挡层和第二子阻挡层之间的隔热层，所述隔热层的热导率小于所述第一子阻挡层和所述第二子阻挡层的热导率。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人新存科技(武汉)有限责任公司，其通讯地址为：430074 湖北省武汉市武汉东湖新技术开发区高新大道999号武汉未来科技城龙山创新园一期B4栋18楼534(自贸区武汉片区)；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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