台湾积体电路制造股份有限公司沙哈吉·B·摩尔获国家专利权
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龙图腾网获悉台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利形成半导体结构的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN109786251B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-11发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201811058207.9，技术领域涉及：H10D30/01；该发明授权形成半导体结构的方法是由沙哈吉·B·摩尔;张世杰;李承翰;杨怀德设计研发完成，并于2018-09-11向国家知识产权局提交的专利申请。
本形成半导体结构的方法在说明书摘要公布了：提供半导体结构及其形成方法。上述方法包括形成栅极结构于基板上以及形成凹陷于基板中并相邻于上述栅极结构。上述方法还包括于上述凹陷的侧壁与底表面形成掺杂区以及部分地移除上述掺杂区以改变上述凹陷的形状。上述方法还包括形成源极漏极结构于上述掺杂区的残留部分之上。
本发明授权形成半导体结构的方法在权利要求书中公布了：1.一种形成半导体结构的方法，包括： 形成一栅极结构于一基板的一隔离结构上； 形成一凹陷于该基板中且相邻于该栅极结构； 于该凹陷的一侧壁以及一底表面形成一掺杂区； 部分地移除该掺杂区以改变该凹陷的一形状； 退火该掺杂区的一残留部分；以及 在退火该掺杂区的该残留部分之后，形成一源极漏极结构于该掺杂区的该残留部分之上，其中该掺杂区的该残留部分将该源极漏极结构与该隔离结构隔开， 其中于一腔体中形成该源极漏极结构，且于该腔体中原位退火该掺杂区的该残留部分。
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