日月光半导体制造股份有限公司张永兴获国家专利权
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龙图腾网获悉日月光半导体制造股份有限公司申请的专利半导体装置封装和其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN110391193B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-11发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201810915555.7，技术领域涉及：H01L23/31；该发明授权半导体装置封装和其制造方法是由张永兴;林文幸设计研发完成，并于2018-08-13向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体装置封装和其制造方法在说明书摘要公布了：本发明的至少一些实施例涉及半导体装置封装。所述半导体装置封装包含：第一衬底，其具有第一表面和与所述第一表面相对的第二表面；第二衬底，其邻近于所述第一衬底的所述第一表面；以及囊封物，其囊封所述第一衬底和所述第二衬底。所述第一衬底界定空间。所述第二衬底覆盖所述空间。所述第一衬底的所述第二表面由所述囊封物暴露。所述囊封物的表面与所述第一衬底的所述第二表面共面或突出超出所述第一衬底的所述第二表面。
本发明授权半导体装置封装和其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体装置封装，其包括： 第一衬底，其具有第一表面和与所述第一表面相对的第二表面，所述第一衬底界定空间，所述第一衬底包含阻焊层和由所述阻焊层包围的导电衬垫，所述阻焊层邻近于所述第二表面，所述第一衬底的中心部分高于所述第一衬底的外围部分； 第二衬底，其邻近于所述第一衬底的所述第一表面且覆盖所述空间；以及 囊封物，其囊封所述第一衬底和所述第二衬底，所述囊封物包含具有下部表面的部分，所述部分在所述第一衬底的所述阻焊层的至少一部分下方突出，所述囊封物的所述部分的所述下部表面的中心部分比所述下部表面的外部部分进一步突出，所述囊封物的所述部分部分地覆盖所述阻焊层的一部分， 其中所述第二衬底由所述囊封物完全囊封。
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