马维尔国际贸易有限公司常润滋获国家专利权
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龙图腾网获悉马维尔国际贸易有限公司申请的专利用于集成电路的子器件场效应晶体管架构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN110858264B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-11发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201910317658.8，技术领域涉及：G06F30/367；该发明授权用于集成电路的子器件场效应晶体管架构是由常润滋设计研发完成，并于2019-04-19向国家知识产权局提交的专利申请。
本用于集成电路的子器件场效应晶体管架构在说明书摘要公布了：本公开的实施例涉及用于集成电路的子器件场效应晶体管架构。本公开描述了用于集成电路的子器件场效应晶体管架构的各个方面。在一些方面中，集成场效应晶体管FET用多个FET子器件实现。在操作期间，集成FET的源极侧FET子器件可以在线性区中而不是饱和区中操作。在线性区中操作，集成FET的源极侧FET子器件可以表现出比在饱和中操作的其他漏极侧FET子器件低的阈值电压或电流灵敏度。集成FET的器件布局可以被设计成使得较不敏感的源极侧FET子器件包围或者保护其他较敏感的漏极侧子器件免受器件布局的边缘处的随机变化或密度问题。通过这样做，集成FET的阈值电压或电流灵敏度可以被降低，从而改善集成FET器件之间的匹配。
本发明授权用于集成电路的子器件场效应晶体管架构在权利要求书中公布了：1.一种形成场效应晶体管FET子器件的集成FET的方法，所述方法包括： 形成用于所述集成FET的衬底； 在所述衬底上形成所述FET子器件的第一集合，所述FET子器件的所述第一集合中的第一FET子器件被耦合到所述集成FET的漏极端子；以及 在所述衬底上形成所述FET子器件的第二集合，所述FET子器件的所述第二集合中的第二FET子器件被耦合到所述集成FET的源极端子； 其中i所述FET子器件的所述第一集合被形成在其上形成有所述集成FET的衬底区域的内部部分上；并且ii所述FET子器件的所述第二集合靠近其上形成有所述集成FET的所述衬底区域的周边被形成。
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