深圳市太赫兹科技创新研究院有限公司;华讯方舟科技有限公司刘荣跃获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉深圳市太赫兹科技创新研究院有限公司;华讯方舟科技有限公司申请的专利一种薄膜晶体管及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN110890429B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-11发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201911257379.3，技术领域涉及：H10D30/67；该发明授权一种薄膜晶体管及其制备方法是由刘荣跃;丁庆;王鑫设计研发完成，并于2019-12-10向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种薄膜晶体管及其制备方法在说明书摘要公布了：本申请属于半导体器件技术领域，提供了一种薄膜晶体管及其制备方法，通过采用费米能级不同的第一有源层和第二有源层组成有源层，并在第一有源层的上表面上设有多个间隔设置的第一有源层凸起，从而在第二有源层和第一有源层之间形成波纹异质结，不仅减少了非晶IGZO薄膜晶体管的漏电流，而且还提高了非晶IGZO薄膜晶体管的电迁移率和开关比，解决了现有的IGZO薄膜晶体管由于电迁移率和输出电流较低，无法满足新的需求的问题。
本发明授权一种薄膜晶体管及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种薄膜晶体管，其特征在于，包括衬底、栅电极层、介电层、有源层、源极以及漏极；所述栅电极层设于所述衬底上，所述介电层设于所述栅电极层表面，所述有源层设于所述介电层表面；其中，所述有源层包括第一有源层和第二有源层，所述第一有源层的费米能级与所述第二有源层的费米能级不同；所述第一有源层的下表面与所述介电层接触，所述第一有源层的上表面与所述第二有源层接触，所述第一有源层的上表面上设有多个间隔设置的第一有源层凸起，所述源极和所述漏极互不接触地分别设于所述第二有源层的上表面的相对两侧； 所述第一有源层采用第一光刻板在所述介电层上表面形成第一光刻胶，并在所述第一光刻胶的掩蔽下在所述介电层的上表面形成多个第一ITZO薄膜，并采用第二光刻板在所述介电层上表面形成第二光刻胶，并在所述第二光刻胶的掩蔽下在相邻的所述第一ITZO薄膜之间形成第二ITZO薄膜的方式形成，其中，所述第二ITZO薄膜的厚度与所述第一ITZO薄膜的厚度不同，且所述第一ITZO薄膜与所述第二ITZO薄膜互相间隔； 所述第二有源层形成于所述第一有源层上。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人深圳市太赫兹科技创新研究院有限公司;华讯方舟科技有限公司，其通讯地址为：518000 广东省深圳市宝安区西乡街道宝田一路臣田工业区第37栋二楼东；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
以上内容由龙图腾AI智能生成。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号
请提出您的宝贵建议，有机会获取IP积分或其他奖励