三星电子株式会社洪贤基获国家专利权
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龙图腾网获悉三星电子株式会社申请的专利包含非晶区和电子抑制区的图像传感器及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN111009535B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-11发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201910891841.9，技术领域涉及：H10F39/12；该发明授权包含非晶区和电子抑制区的图像传感器及其制造方法是由洪贤基;金局泰;金振均;洪守珍设计研发完成，并于2019-09-20向国家知识产权局提交的专利申请。
本包含非晶区和电子抑制区的图像传感器及其制造方法在说明书摘要公布了：提供了图像传感器及其制造方法。图像传感器包括含有多个像素区域的衬底。所述衬底具有第一表面和与第一表面相对的第二表面。所述图像传感器包括从衬底的第二表面向衬底的第一表面延伸并将所述多个像素区域彼此分离的深像素隔离区。所述图像传感器包括邻近所述深像素隔离区的侧壁的非晶区。而且，所述图像传感器包括在所述非晶区与所述深像素隔离区的侧壁之间的电子抑制区。
本发明授权包含非晶区和电子抑制区的图像传感器及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种图像传感器，包括： 衬底，其包括多个像素区域，所述衬底具有第一表面和与所述第一表面相对的第二表面； 在所述衬底的第一表面上的传输栅极； 浅器件隔离区，其在所述衬底中邻近所述第一表面； 深像素隔离区，其从所述衬底的第二表面向所述衬底的第一表面延伸，并将所述多个像素区域彼此分离； 非晶区，其邻近所述深像素隔离区的侧壁； 电子抑制区，其在所述非晶区与所述深像素隔离区的侧壁之间；以及 第一固定电荷层，其延伸为覆盖所述衬底的第二表面， 其中，所述电子抑制区包括硼离子， 其中，所述深像素隔离区穿透所述浅器件隔离区， 其中，所述第一固定电荷层与所述电子抑制区和所述非晶区两者接触。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人三星电子株式会社，其通讯地址为：韩国京畿道；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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