三星电子株式会社南奇亨获国家专利权
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龙图腾网获悉三星电子株式会社申请的专利半导体装置及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN111199974B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-11发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201911100831.5，技术领域涉及：H10B12/00；该发明授权半导体装置及其制造方法是由南奇亨设计研发完成，并于2019-11-12向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体装置及其制造方法在说明书摘要公布了：半导体装置包括：衬底中的有源区域；隔离膜，其限定衬底中的有源区域；栅沟槽，其延伸穿过有源区域和隔离膜，并且包括有源区域中的第一沟槽和隔离膜中的第二沟槽；栅电极，其包括主栅电极和传输栅电极，主栅电极填充第一沟槽的下部，并且传输栅电极填充第二沟槽的下部；支撑结构，其在传输栅电极上，该支撑结构填充第二沟槽的上部；以及栅绝缘膜，其介于隔离膜和传输栅电极之间以及支撑结构和传输栅电极之间。
本发明授权半导体装置及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体装置，包括： 有源区域，其在衬底中； 隔离膜，其限定所述衬底中的所述有源区域； 栅沟槽，其延伸穿过所述有源区域和所述隔离膜，并且包括所述有源区域中的第一沟槽和所述隔离膜中的第二沟槽； 栅电极，其包括主栅电极和传输栅电极，所述主栅电极填充所述第一沟槽的下部，并且所述传输栅电极填充所述第二沟槽的下部； 支撑结构，其在所述传输栅电极上，所述支撑结构填充所述第二沟槽的上部；以及 栅绝缘膜，其介于所述有源区域和所述主栅电极之间以及所述隔离膜和所述传输栅电极之间， 其中，所述第二沟槽中的所述栅绝缘膜包括介于所述隔离膜和所述传输栅电极之间的第一部分以及介于所述支撑结构和所述传输栅电极之间的第二部分，并且 其中，所述第一部分和所述第二部分整体地形成。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人三星电子株式会社，其通讯地址为：韩国京畿道；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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