英飞凌科技股份有限公司T.艾兴格获国家专利权
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龙图腾网获悉英飞凌科技股份有限公司申请的专利SiC沟槽晶体管器件及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN111200021B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-11发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201911119103.9，技术领域涉及：H10D30/63；该发明授权SiC沟槽晶体管器件及其制造方法是由T.艾兴格;W.贝格纳;P.埃林豪斯;R.埃尔佩尔特;R.埃斯特韦;F.格拉泽;C.莱恩德茨;S.牛;D.彼得斯;R.西米尼克;B.齐佩留斯设计研发完成，并于2019-11-15向国家知识产权局提交的专利申请。
本SiC沟槽晶体管器件及其制造方法在说明书摘要公布了：根据半导体器件的实施例，器件包括形成在SiC衬底中并在第一方向上纵向平行延伸的栅极沟槽。第一导电类型的源极区的行形成在SiC衬底中并且在相对于第一方向为横向的第二方向上纵向平行延伸。在源极区的行下方的SiC衬底中形成与第一导电类型相反的第二导电类型的体区的行。在SiC衬底中形成第二导电类型的体接触区的行。体接触区的行在第二方向上纵向平行延伸。第二导电类型的第一屏蔽区在SiC衬底中形成得比体区的行更深。
本发明授权SiC沟槽晶体管器件及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件，包括： 栅极沟槽，形成在SiC衬底中并在第一方向上纵向平行延伸； 第一导电类型的源极区的行，形成在SiC衬底中并且在相对于第一方向为横向的第二方向上纵向平行延伸； 与第一导电类型相反的第二导电类型的体区的行，形成在源极区的行下方的SiC衬底中； 形成在SiC衬底中的第二导电类型的体接触区的行，体接触区的行在第二方向上纵向平行延伸； 第二导电类型的第一屏蔽区，其在SiC衬底中形成得比体区的行更深；和 形成在至少一些栅极沟槽的底部处的SiC衬底中的第二导电类型的第二屏蔽区， 其中第二屏蔽区通过邻接的第一屏蔽区和或邻接的体接触区而电接触， 其中沿着栅极沟槽的侧壁设置的体区的部分形成半导体器件的沟道区，并且其中相同栅极沟槽的相对侧壁与SiC衬底的11-20a-面对准，使得沟道区沿着11-20a-面延伸。
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