英飞凌科技美国公司高阳获国家专利权
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龙图腾网获悉英飞凌科技美国公司申请的专利具有低栅极电荷和低品质因数的功率器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN111668297B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-11发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010159209.8，技术领域涉及：H10D64/27；该发明授权具有低栅极电荷和低品质因数的功率器件是由高阳设计研发完成，并于2020-03-09向国家知识产权局提交的专利申请。
本具有低栅极电荷和低品质因数的功率器件在说明书摘要公布了：本公开涉及具有低栅极电荷和低品质因数的功率器件。器件包括单元，其中每个单元包括：本体，该本体具有主顶表面和主底表面；栅极，该栅极在器件的主表面上，并且具有第一长度；栅极绝缘层，该栅极绝缘层在栅极之上，并且具有第二长度，第二长度是第一长度的至少两倍；源极接触部，该源极接触部在器件本体中邻近于栅极；源极金属层，该源极金属层在栅极绝缘层之上；以及漏极，该漏极在单元的主底表面上。
本发明授权具有低栅极电荷和低品质因数的功率器件在权利要求书中公布了：1.一种器件，所述器件包括单元，其中每个单元包括： 本体，所述本体包括主顶表面和主底表面； 栅极，所述栅极在所述器件的所述主顶表面上，并且具有第一长度； 栅极绝缘层，所述栅极绝缘层在所述栅极之上，并且具有第二长度，所述第二长度是所述第一长度的至少两倍，所述栅极绝缘层具有直接在所述栅极之上的第一部分、以及直接在所述本体的所述主顶表面之上且在所述本体的远离所述栅极的一侧上的第二部分； 源极接触部，所述源极接触部在所述本体的邻近于所述栅极的一侧上； 源极金属区，所述源极金属区在所述栅极绝缘层之上；以及 漏极接触部，所述漏极接触部在所述本体的所述主底表面上， 其中所述本体包括N型外延层、第一P型柱和第二P型柱，所述N型外延层从所述本体的所述主顶表面延伸至所述本体的所述主底表面，所述第一P型柱设置在所述栅极绝缘层的所述第一部分之下、从所述本体的所述主顶表面延伸且仅部分延伸至所述N型外延层中，所述第二P型柱设置在所述栅极绝缘层的所述第二部分之下、从所述本体的所述主顶表面延伸且仅部分延伸至所述N型外延层中，其中所述栅极关于所述栅极绝缘层不对称。
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