买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网获悉深圳市昂德环球科技有限公司申请的专利AlGaN基深紫外LED外延片及制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN111739989B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-11发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010722267.7，技术领域涉及：H10H20/814；该发明授权AlGaN基深紫外LED外延片及制备方法是由高芳亮;杨金铭设计研发完成，并于2020-07-24向国家知识产权局提交的专利申请。

本AlGaN基深紫外LED外延片及制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了AlGaN基深紫外LED外延片及制备方法，其中，所述AlGaN基深紫外LED外延片包括：碳化硅衬底、沉积在所述碳化硅衬底上的Ag层、生长在所述Ag层上的AlN缓冲层、生长在所述AlN缓冲层上的AlGaN缓冲层、生长在所述AlGaN缓冲层上的非掺杂AlGaN层、生长在所述非掺杂AlGaN层上的n型掺杂AlGaN层、生长在所述n型掺杂AlGaN层上的AlGaN多量子阱层、生长在所述AlGaN多量子阱层上的电子阻挡层和生长在所述电子阻挡层上的p型掺杂GaN薄膜。本发明无需采用剥离工艺，外量子效率得到大幅提升；能减少位错的形成，提高了载流子的辐射复合效率，可得到高导热、高导电、高发光性能深紫外LED；深紫外LED电流分布更加均匀，提高出光效率，同时具有良好的散热能力；制备工艺简单，具有可重复性。

本发明授权AlGaN基深紫外LED外延片及制备方法在权利要求书中公布了：1.一种基于碳化硅衬底的AlGaN基深紫外LED外延片，其特征在于，包括：碳化硅衬底、沉积在所述碳化硅衬底上的Ag层、生长在所述Ag层上的AlN缓冲层、生长在所述AlN缓冲层上的AlGaN缓冲层、生长在所述AlGaN缓冲层上的非掺杂AlGaN层、生长在所述非掺杂AlGaN层上的n型掺杂AlGaN层、生长在所述n型掺杂AlGaN层上的AlGaN多量子阱层、生长在所述AlGaN多量子阱层上的电子阻挡层和生长在所述电子阻挡层上的p型掺杂GaN薄膜； 所述Ag层的厚度为500-1000nm； 所述AlN缓冲层的厚度为5～50nm； 所述AlGaN缓冲层的厚度为300～500nm； 所述非掺杂AlGaN层的厚度为500～800nm； 所述n型掺杂AlGaN层的厚度为3～5μm； 所述AlGaN多量子阱层为7～10个周期的Al0.3Ga0.7N阱层和Al0.5Ga0.5N垒层，其中Al0.3Ga0.7N阱层的厚度为2～3nm，Al0.5Ga0.5N垒层的厚度为10～13nm； 所述电子阻挡层为Al0.4Ga0.6N电子阻挡层，所述电子阻挡层的厚度为20～50nm； 所述p型掺杂GaN薄膜的厚度为300～350nm。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人深圳市昂德环球科技有限公司，其通讯地址为：518000 广东省深圳市南山区粤海街道高新区社区高新南九道45号西北工业大学三航科技大厦16层1611；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

以上内容由龙图腾AI智能生成。