北京世港晟华科技有限公司许海东获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉北京世港晟华科技有限公司申请的专利一种具有抗闩锁能力的IGBT器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN111883586B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-11发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010694655.9，技术领域涉及：H10D12/00；该发明授权一种具有抗闩锁能力的IGBT器件是由许海东设计研发完成，并于2020-07-17向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种具有抗闩锁能力的IGBT器件在说明书摘要公布了：本发明为一种具有抗闩锁能力的IGBT器件，属于功率半导体器件技术领域。本发明提出通过使用分段式的N型源区和分段式的源区接触孔区，并通过调节N型源区和源区接触孔的重合区域大小来控制引入的镇流电阻大小，从而控制导通时的N型源区电势，来达到抗闩锁的目的。本发明提出的降低IGBT器件闩锁风险的结构，采用通过控制电子自身的流通路径来提供镇流电阻的方法，工艺简单，设备要求低，无需额外引入P型注入，并可以有效抑制闩锁的发生同时提高短路能力。
本发明授权一种具有抗闩锁能力的IGBT器件在权利要求书中公布了：1.一种具有抗闩锁能力的IGBT器件，其特征在于：包括N型漂移区1、分段式的N型源区6和分段式的源区接触孔区7，所述N型源区6和所述源区接触孔区7具有重合区域8，所述重合区域8的面积小于相接触的N型源区6和源区接触孔区7的面积，所述源区接触孔区7与N型源区6的重合区域8的宽度和长度可调，用于控制引入的镇流电阻的大小； 在所述N型漂移区1内的上方位置设有若干沟槽栅2，所述沟槽栅2之间为P型体区5，所述P型体区5下边界高于沟槽栅2底部所在位置； 分段式的所述N型源区6位于相邻所述沟槽栅2之间，且嵌入所述P型体区5上方； 分段式的所述源区接触孔区7位于相邻所述沟槽栅2之间，且嵌入所述P型体区5上方，所述源区接触孔区7用于与源极金属形成欧姆接触； 所述N型源区6长度为1~10μm，分段间隔长度为1~10μm，所述重合区域8长度为1~5μm，所述源区接触孔区7长度为N型源区6间隔长度和重合区域8长度之和； 在两个相邻所述沟槽栅2之间的分段式的N型源区6仅与一侧所述沟槽栅2相接触；且同位于两个所述相邻沟槽栅2之间的相邻两段N型源区6与不同侧所述沟槽栅2相接触。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人北京世港晟华科技有限公司，其通讯地址为：100000 北京市海淀区安宁庄西三条9号1幢5层1单元501B；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
以上内容由龙图腾AI智能生成。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号
请提出您的宝贵建议，有机会获取IP积分或其他奖励