三星电子株式会社金昶汎获国家专利权
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龙图腾网获悉三星电子株式会社申请的专利三维存储器装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112038348B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-11发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010446737.1，技术领域涉及：H10B43/35；该发明授权三维存储器装置是由金昶汎;金成勳;金胜渊设计研发完成，并于2020-05-25向国家知识产权局提交的专利申请。
本三维存储器装置在说明书摘要公布了：提供一种三维存储器装置，包括：第一存储器单元阵列，包括垂直堆叠在基底的顶表面的第一存储器单元阵列区域上的第一存储器单元；第二存储器单元阵列，包括垂直堆叠在顶表面的第二存储器单元阵列区域上的第二存储器单元；多条第一字线，连接到第一存储器单元并包括所述多条第一字线的子集和剩余的第一字线；多条第二字线，连接到第二存储器单元并包括所述多条第二字线的子集和剩余的第二字线；行解码器，包括多个合并传输晶体管，所述多个合并传输晶体管各自公共连接到所述多条第一字线的子集中的相应的一条第一字线和所述多条第二字线的子集中的相应的一条第二字线，行解码器设置在第一存储器单元阵列区域与第二存储器单元阵列区域之间的区域中。
本发明授权三维存储器装置在权利要求书中公布了：1.一种存储器装置，所述存储器装置包括： 基底，包括顶表面； 第一存储器单元阵列，包括垂直堆叠在基底的顶表面的第一存储器单元阵列区域上的多个第一存储器单元； 第二存储器单元阵列，包括垂直堆叠在基底的顶表面的第二存储器单元阵列区域上的多个第二存储器单元； 多条第一字线，连接到所述多个第一存储器单元，所述多条第一字线包括所述多条第一字线的子集和剩余的第一字线； 多条第二字线，连接到所述多个第二存储器单元，所述多条第二字线包括所述多条第二字线的子集和剩余的第二字线；和 行解码器，包括多个合并传输晶体管，所述多个合并传输晶体管中的每个公共地连接到所述多条第一字线的子集中的相应的一条第一字线和所述多条第二字线的子集中的相应的一条第二字线，并且行解码器被设置在基底的顶表面的在第一存储器单元阵列区域与第二存储器单元阵列区域之间的行解码器区域中。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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