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龙图腾网获悉富士电机株式会社申请的专利电阻元件及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112086440B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-11发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010351956.1，技术领域涉及：H01L23/64；该发明授权电阻元件及其制造方法是由狩野太一设计研发完成，并于2020-04-28向国家知识产权局提交的专利申请。

本电阻元件及其制造方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种电阻元件及其制造方法，能够缩小芯片尺寸，并能够减少接合线的根数。电阻元件具备：半导体基板；场绝缘膜，其设置在半导体基板上；多个电阻层，所述多个电阻层在场绝缘膜上分离地设置；层间绝缘膜，其覆盖场绝缘膜以及多个电阻层中的各个电阻层；焊盘形成电极，其设置在层间绝缘膜上，与多个电阻层的一端侧电连接；中继布线，其与焊盘形成电极分离地设置在层间绝缘膜上，具有与电阻层的另一端侧电连接的一方的端子以及与半导体基板欧姆接触的另一方的端子；以及背面电极，其设置在半导体基板下，与半导体基板欧姆接触，其中，电阻元件将焊盘形成电极与背面电极之间的电气路径作为电阻体。

本发明授权电阻元件及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种电阻元件，其特征在于，具备： 半导体基板； 场绝缘膜，其设置在所述半导体基板上； 多个电阻层，所述多个电阻层在所述场绝缘膜上分离地设置； 层间绝缘膜，其被设置为覆盖所述场绝缘膜以及所述多个电阻层中的各个电阻层； 焊盘形成电极，其设置在所述层间绝缘膜上，与从所述多个电阻层中选择出的至少一个电阻层的一端侧电连接； 中继布线，其与所述焊盘形成电极分离地设置在所述层间绝缘膜上，具有与所选择出的所述电阻层的另一端侧电连接的一方的端子以及与所述半导体基板欧姆接触的另一方的端子；以及 背面电极，其设置在所述半导体基板下，与所述半导体基板欧姆接触， 其中，所述电阻元件将所述焊盘形成电极与所述背面电极之间的电气路径作为电阻体， 所述焊盘形成电极经由贯通所述层间绝缘膜的电极接触区来与所选择出的所述电阻层电连接， 所述一方的端子经由在与所述电极接触区分离的位置处贯通所述层间绝缘膜的布线接触区来与所选择出的所述电阻层电连接， 所述另一方的端子经由贯通所述层间绝缘膜的基板接触区来与所述半导体基板电连接， 没有设置与所述多个电阻层中未选择的电阻层对应的所述电极接触区、所述布线接触区以及所述基板接触区中的至少任一个。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人富士电机株式会社，其通讯地址为：日本神奈川县；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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