瑞萨电子株式会社铃木润一获国家专利权
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龙图腾网获悉瑞萨电子株式会社申请的专利半导体器件和控制半导体器件的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112863558B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-11发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011252181.9，技术领域涉及：G11C5/02；该发明授权半导体器件和控制半导体器件的方法是由铃木润一设计研发完成，并于2020-11-11向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体器件和控制半导体器件的方法在说明书摘要公布了：根据本公开的各实施例涉及半导体器件和控制半导体器件的方法。电连接至存储器单元的开关电路的占用面积被减小，以减小半导体器件的尺寸。根据一个实施例的半导体器件包括：半导体衬底上的存储器单元；以及半导体芯片，电连接至存储器单元的开关电路被形成在该半导体芯片中，其中开关电路包括电连接至存储器单元的第二晶体管，并且第二晶体管包括通过第三栅极绝缘膜被形成在半导体衬底上的第二字栅极和通过第四栅极绝缘膜被形成在半导体衬底上的第二耦合栅极，第四栅极绝缘膜具有比第三栅极绝缘膜的厚度大的厚度，其中当电流被施加至存储器单元时，比施加至第二字栅极的电压高的电压被施加至第二晶体管的第二耦合栅极。
本发明授权半导体器件和控制半导体器件的方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件，包括被形成在半导体衬底上的存储器单元和开关电路， 其中所述开关电路被设置在所述存储器单元外部，并且所述开关电路被电连接至所述存储器单元， 其中所述存储器单元包括多个晶体管，所述多个晶体管包括第一晶体管， 其中所述开关电路包括被电连接至所述第一晶体管的第二晶体管， 其中所述第二晶体管包括： 第一字栅极，被形成在第一栅极绝缘膜上； 第一耦合栅极，被形成在第二栅极绝缘膜上，所述第二栅极绝缘膜具有比所述第一栅极绝缘膜厚的厚度， 其中在所述第二晶体管中，当电流流过所述开关电路时，第一电压从所述开关电路的外部被供应，使得所述半导体衬底的在所述第一字栅极之下的第一区域变为导电状态， 其中在所述第二晶体管中，当电流流过所述开关电路时，第二电压从所述开关电路的外部被供应，使得所述半导体衬底的在所述第一耦合栅极之下的第二区域变为导电状态，并且 其中所述第二电压高于所述第一电压。
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