三星电子株式会社李宰求获国家专利权
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龙图腾网获悉三星电子株式会社申请的专利半导体器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113035885B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-11发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011536562.X，技术领域涉及：H10B43/40；该发明授权半导体器件是由李宰求设计研发完成，并于2020-12-23向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体器件在说明书摘要公布了：本发明公开了一种半导体器件，该半导体器件包括：具有第一区域和第二区域的衬底；栅电极，堆叠在第一区域中并形成具有阶梯形状的焊盘区域，在第二区域中延伸不同的长度；层间绝缘层，与栅电极交替地堆叠；沟道结构，在第一区域中穿过栅电极并包括沟道层；分隔区域，在第一区域和第二区域中穿过栅电极；蚀刻停止层，设置于在第二区域中形成焊盘区域的栅电极当中的最上面的栅电极上，不与第一区域和分隔区域重叠；单元区域绝缘层，覆盖栅电极和蚀刻停止层；以及接触插塞，穿过第二区域中的单元区域绝缘层和蚀刻停止层并连接到焊盘区域中的栅电极。
本发明授权半导体器件在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件，包括： 具有第一区域和第二区域的衬底； 多个栅电极，在所述第一区域中在第一方向上堆叠在所述衬底上并且彼此间隔开，所述栅电极沿着第二方向延伸到所述第二区域中不同的长度以形成具有阶梯形状的焊盘区域； 多个层间绝缘层，与所述栅电极交替地堆叠； 多个沟道结构，在所述第一区域中穿过所述栅电极，在所述第一方向上延伸并且包括沟道层； 多个分隔区域，在所述第一区域和所述第二区域中穿过所述栅电极并在所述第二方向上延伸； 蚀刻停止层，在所述第二区域中设置在形成所述焊盘区域的所述栅电极当中的在每个阶梯处最上面的栅电极上，不与所述第一区域和所述分隔区域重叠； 单元区域绝缘层，覆盖所述栅电极和所述蚀刻停止层；以及 多个接触插塞，在所述第二区域中穿过所述单元区域绝缘层和所述蚀刻停止层并在所述焊盘区域中连接到所述栅电极， 其中，所述蚀刻停止层在垂直于所述第一方向和所述第二方向的第三方向上与所述分隔区域的侧表面间隔开。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人三星电子株式会社，其通讯地址为：韩国京畿道；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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