台湾积体电路制造股份有限公司马礼修获国家专利权
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龙图腾网获悉台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利集成芯片及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113054095B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-11发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110161788.4，技术领域涉及：H10N50/10；该发明授权集成芯片及其形成方法是由马礼修设计研发完成，并于2021-02-05向国家知识产权局提交的专利申请。
本集成芯片及其形成方法在说明书摘要公布了：一种集成芯片具有存储器单元，所述存储单元包括磁隧道结MTJ器件和访问选择器装置。MTJ器件包括自由层和固定层。访问选择器装置包括通过一个或者多个非金属层间隔开的第一金属结构和第二金属结构。第一金属结构包括极化磁性层。极化的磁性层产生延伸穿过自由层的磁场，倾斜其磁场，从而大大减少了用于MTJ器件的开关时间。访问选择器装置可以是双极选择器。极化磁性层可以结合至双极选择器的电极中。访问选择器装置和MTJ器件都可以由材料层的堆叠件形成。所得的存储器单元可以是紧凑的，并且具有良好的写入速度。本发明的实施例还涉及形成集成芯片的方法。
本发明授权集成芯片及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种集成芯片，包括： 磁隧道结器件，具有第一电极和第二电极；以及 访问选择器装置，用于所述磁隧道结器件，包括通过一个或者多个非金属层间隔开的第一金属结构和第二金属结构，其中，所述一个或者多个非金属层包括具有不同带隙能量的两个绝缘体； 其中，所述第一金属结构和所述第二金属结构中的一者连接至所述第二电极，并且 所述第一金属结构包括极化铁磁层， 其中，所述具有不同带隙能量的两个绝缘体中的一者是所述极化铁磁层的金属的氧化物。
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