意法半导体(图尔)公司A·阿诺获国家专利权
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龙图腾网获悉意法半导体(图尔)公司申请的专利静电保护获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113178441B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-11发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110029400.5，技术领域涉及：H10D89/60；该发明授权静电保护是由A·阿诺;S·勒布雷特设计研发完成，并于2021-01-11向国家知识产权局提交的专利申请。
本静电保护在说明书摘要公布了：本公开的各实施例涉及静电保护。提供了ESD保护设备和方法。在至少一个实施例中，设备包括形成齐纳二极管的第一堆叠。第一堆叠包括第一导电类型的衬底，该衬底具有位于其中的第二导电类型的第一区域。第一区域与衬底的表面齐平。第二堆叠形成二极管，并且位于衬底的表面上并且与衬底的表面接触。第二堆叠包括第二导电类型的第一层，该第一层具有位于其中的第一导电类型的第二区域。第二区域与第一堆叠相对，与第一层的表面齐平。第三堆叠至少包括由掺杂氧的材料制成的第二层，该第二层在第二堆叠上并且与其接触。
本发明授权静电保护在权利要求书中公布了：1.一种电子设备，包括： 第一堆叠，形成齐纳二极管，所述第一堆叠包括第一导电类型的衬底，所述衬底具有在所述衬底中的第二导电类型的第一区域，所述第一区域具有与所述衬底的表面齐平的表面； 第二堆叠，形成二极管，所述第二堆叠位于所述衬底的所述表面上并且与所述衬底的所述表面接触，并且所述第二堆叠包括所述第二导电类型的第一层，所述第一层具有在所述第一层中的所述第一导电类型的第二区域，所述第二区域具有与所述第一层的表面齐平并且与所述第一堆叠相对的表面；以及 第三堆叠，至少包括由半绝缘多晶硅制成的第二层，所述第二层在所述第二堆叠上并且与所述第二堆叠接触； 其中所述第三堆叠包括场氧化物的第三层，所述第三层在所述第二层上并且与所述第二层接触。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人意法半导体(图尔)公司，其通讯地址为：法国图尔；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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