台湾积体电路制造股份有限公司林士尧获国家专利权
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龙图腾网获悉台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利晶体管栅极及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113206081B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-11发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011329103.4，技术领域涉及：H10D84/85；该发明授权晶体管栅极及其形成方法是由林士尧;林志翰;张书维;蔡雅怡;古淑瑗设计研发完成，并于2020-11-24向国家知识产权局提交的专利申请。
本晶体管栅极及其形成方法在说明书摘要公布了：本公开涉及晶体管栅极及其形成方法。一种器件，包括：半导体衬底；以及第一栅极堆叠，该第一栅极堆叠位于半导体衬底之上，该第一栅极堆叠位于第一栅极间隔件和第二栅极间隔件之间。该器件还包括第二栅极堆叠，该第二栅极堆叠位于半导体衬底之上，该第二栅极堆叠位于第一栅极间隔件和第二栅极间隔件之间；以及电介质材料，该电介质材料将第一栅极堆叠与第二栅极堆叠分开。该电介质材料至少部分地位于第一栅极间隔件和第二栅极间隔件之间，电介质材料的上部分的第一宽度大于电介质材料的下部分的第二宽度，并且第一栅极间隔件的上部分的第三宽度小于第一栅极间隔件的下部分的第四宽度。
本发明授权晶体管栅极及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件，包括： 半导体衬底； 第一栅极堆叠，所述第一栅极堆叠位于所述半导体衬底之上，所述第一栅极堆叠位于第一栅极间隔件和第二栅极间隔件之间； 第二栅极堆叠，所述第二栅极堆叠位于所述半导体衬底之上，所述第二栅极堆叠位于所述第一栅极间隔件和所述第二栅极间隔件之间；以及 电介质材料，所述电介质材料将所述第一栅极堆叠与所述第二栅极堆叠分开，所述电介质材料至少部分地位于所述第一栅极间隔件和所述第二栅极间隔件之间，所述电介质材料的上部分的第一宽度大于所述电介质材料的下部分的第二宽度，所述第一宽度和所述第二宽度是沿着延伸穿过所述第一栅极间隔件和所述第二栅极间隔件的截面进行测量的，所述第二宽度等于所述第一栅极堆叠的沿着延伸穿过所述第一栅极间隔件和所述第二栅极间隔件的截面进行测量的宽度，并且所述第一栅极间隔件的上部分的第三宽度小于所述第一栅极间隔件的下部分的第四宽度。
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