英飞凌科技奥地利有限公司R·西米尼克获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉英飞凌科技奥地利有限公司申请的专利具有渐变外延分布的电荷补偿MOSFET及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113224128B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-11发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110158185.9，技术领域涉及：H10D62/10；该发明授权具有渐变外延分布的电荷补偿MOSFET及其制造方法是由R·西米尼克;D·拉福雷特;C·乌弗拉德设计研发完成，并于2021-02-05向国家知识产权局提交的专利申请。
本具有渐变外延分布的电荷补偿MOSFET及其制造方法在说明书摘要公布了：公开了具有渐变外延分布的电荷补偿MOSFET及其制造方法。一种竖向功率半导体晶体管器件，包括：第一导电类型的漏极区；第二导电类型的本体区；将本体区与漏极区分离的第一导电类型的漂移区；被通过本体区与漂移区分离的第一导电类型的源极区；栅极沟槽，其延伸通过源极区和本体区并且进入到漂移区中，栅极沟槽包括栅极电极；以及在栅极沟槽中或者在分离的沟槽中的场电极。漂移区具有从本体区朝向包括场电极的沟槽的底部增加的一般地线性渐变的第一掺杂分布，以及以比第一掺杂分布大的比率从第一掺杂分布的端部朝向漏极区增加的渐变的第二掺杂分布。
本发明授权具有渐变外延分布的电荷补偿MOSFET及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种竖向功率半导体晶体管器件，包括： 第一导电类型的漏极区； 与第一导电类型相反的第二导电类型的本体区； 第一导电类型的并且将本体区与漏极区分离的漂移区； 第一导电类型的并且被通过本体区与漂移区分离的源极区； 栅极沟槽，其延伸通过源极区和本体区并且进入到漂移区中，栅极沟槽包括栅极电极；以及 在栅极沟槽中的或者在分离的沟槽中的场电极， 其中，漂移区具有从本体区朝向包括场电极的沟槽的底部增加的一般地线性渐变的第一掺杂分布，以及以比第一掺杂分布大的比率从第一掺杂分布的端部朝向漏极区增加的渐变的第二掺杂分布， 其中，第一掺杂分布在漂移区内的与包括场电极的沟槽的底部对应的水平处或附近结束，并且第二掺杂分布在所述水平处或附近开始，或者其中，漂移区的第一掺杂分布延伸到包括场电极的沟槽的深度的至少34的深度。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人英飞凌科技奥地利有限公司，其通讯地址为：奥地利菲拉赫西门子大街2号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
以上内容由龙图腾AI智能生成。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号
请提出您的宝贵建议，有机会获取IP积分或其他奖励