台湾积体电路制造股份有限公司程仲良获国家专利权
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龙图腾网获悉台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利半导体器件和形成半导体器件的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113257810B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-11发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011295337.1，技术领域涉及：H10D84/83；该发明授权半导体器件和形成半导体器件的方法是由程仲良;林秉顺;方子韦;赵皇麟设计研发完成，并于2020-11-18向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体器件和形成半导体器件的方法在说明书摘要公布了：本发明描述了半导体器件，包括衬底和位于衬底上的第一晶体管。第一晶体管包括第一栅极结构，并且第一栅极结构包括栅极介电层和位于栅极介电层上的第一功函层。第一栅极结构还包括位于第一功函层上的覆盖层。半导体器件还包括位于衬底上的第二晶体管，其中第二晶体管包括第二栅极结构。第二栅极结构包括栅极介电层和位于栅极介电层上的第二功函层。第二栅极结构还包括位于第二功函层上的第一功函层和位于第一功函层上的硅覆盖层。本发明的实施例还涉及形成半导体器件的方法。
本发明授权半导体器件和形成半导体器件的方法在权利要求书中公布了：1.一种形成半导体器件的方法，包括： 在多个纳米线上沉积栅极介电层，所述多个纳米线形成在第一器件区域中和第二器件区域中； 在所述第一器件区域中和第二器件区域中的所述多个纳米线上沉积第一功函材料； 从所述第二器件区域去除所述第一功函材料的部分以暴露所述栅极介电层，其中，所述第一功函材料的剩余部分形成第一功函层； 在所述第一器件区域中和第二器件区域中沉积第二功函材料； 从所述第一器件区域去除所述第二功函材料的部分以暴露所述第一功函层，其中，所述第二功函材料的剩余部分形成第二功函层；以及 在所述第一器件区域中和第二器件区域中以及在所述第一功函层上和第二功函层上沉积第三功函层。
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