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龙图腾网获悉台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利半导体器件及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113314528B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-11发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011249564.0，技术领域涉及：H10D84/85；该发明授权半导体器件及其形成方法是由陆则宪;江庭玮;苏品岱;陈蓉萱;李慧文设计研发完成，并于2020-11-10向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体器件及其形成方法在说明书摘要公布了：一种半导体器件，包括：第一多栅极场效应晶体管FET，设置在衬底上方，所述第一多栅极FET包括第一有源区；以及第二多栅极FET，设置在第一多栅极FET上方，第二多栅极FET包括第二有源区。沿着垂直于衬底的竖直方向，第一有源区和第二有源区不完全投影。本发明的实施例还提供了一种用于形成半导体器件的方法。

本发明授权半导体器件及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件，包括： 第一多栅极场效应晶体管，设置在衬底上方，所述第一多栅极场效应晶体管包括在第一水平面上延伸的第一有源区；以及 第二多栅极场效应晶体管，设置在所述第一多栅极场效应晶体管上方，所述第二多栅极场效应晶体管包括在平行于所述第一水平面的第二水平面上延伸的第二有源区； 其中，当从垂直于所述第一水平面的竖直方向观察时，所述第一有源区和所述第二有源区不完全重叠， 其中，所述第一多栅极场效应晶体管还包括设置在所述第一有源区上方的第一金属接触区，和设置在所述第一有源区上方的第二金属接触区；并且所述第二多栅极场效应晶体管还包括设置在所述第二有源区上方的第三金属接触区，和设置在所述第二有源区上方的第四金属接触区；其中，当从竖直方向观察时，所述第一金属接触区和所述第三金属接触区在所述第一水平面上的投影沿着垂直于所述第一有源区的延伸方向的方向不完全重叠，并且当从竖直方向观察时，所述第一金属接触区和所述第四金属接触区在所述第一水平面上的投影沿着垂直于所述第一有源区的延伸方向的方向不完全重叠，所述第一金属接触区和所述第三金属接触区部分地重叠，所述第一金属接触区与所述第四金属接触区不重叠，所述第二金属接触区与所述第三金属接触区不重叠，并且所述第二金属接触区与所述第四金属接触区部分地重叠， 其中，所述第二有源区在所述第一水平面上的第一投影与所述第一有源区部分地重叠。

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