三星电子株式会社姜钟仁获国家专利权
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龙图腾网获悉三星电子株式会社申请的专利半导体器件和制造该半导体器件的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113345897B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-11发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110180557.8，技术领域涉及：H10B12/00；该发明授权半导体器件和制造该半导体器件的方法是由姜钟仁设计研发完成，并于2021-02-09向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体器件和制造该半导体器件的方法在说明书摘要公布了：公开了一种半导体器件和制造该半导体器件的方法。该半导体器件包括衬底，该衬底包括具有第一沟槽的第一区域和具有第二沟槽的第二区域。第一掩埋绝缘层图案设置在第一沟槽中。第二沟槽包括依次堆叠在其中的第一掩埋绝缘层图案、第二掩埋绝缘层图案和第三掩埋绝缘层图案。第一缓冲绝缘层设置在第一区域和第二区域中的衬底上并具有平坦的上表面。第二缓冲绝缘层设置在第一缓冲绝缘层上。位线结构设置在第一区域和第二区域上。位线结构的第一部分设置在第二缓冲绝缘层上并具有平坦的下表面。位线结构的第二部分直接接触第一区域中的衬底的表面。
本发明授权半导体器件和制造该半导体器件的方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件，包括： 衬底，包括具有第一沟槽的第一区域和具有第二沟槽的第二区域； 第一掩埋绝缘层图案，设置在所述第一沟槽中； 第一缓冲绝缘层，设置在所述第一区域和所述第二区域中的所述衬底上，所述第一缓冲绝缘层具有平坦的上表面； 第二缓冲绝缘层，设置在所述第一缓冲绝缘层上；以及 位线结构，设置在所述第一区域和所述第二区域上， 其中所述第一掩埋绝缘层图案、第二掩埋绝缘层图案和第三掩埋绝缘层图案依次堆叠在所述第二沟槽中，所述第二区域上的所述第二掩埋绝缘层图案的上表面从所述第一掩埋绝缘层图案的上表面和所述第三掩埋绝缘层图案的上表面突出， 其中所述位线结构的第一部分设置在所述第二缓冲绝缘层上，并且所述位线结构的所述第一部分具有平坦的下表面，以及 其中所述位线结构的第二部分直接接触所述第一区域中的所述衬底的表面。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人三星电子株式会社，其通讯地址为：韩国京畿道；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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