台湾积体电路制造股份有限公司洪志明获国家专利权
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龙图腾网获悉台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利包括光检测器的半导体结构和形成光检测器的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113380845B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-11发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110601878.0，技术领域涉及：H10F39/18；该发明授权包括光检测器的半导体结构和形成光检测器的方法是由洪志明;王子睿;黄冠杰;施俊吉设计研发完成，并于2021-05-31向国家知识产权局提交的专利申请。
本包括光检测器的半导体结构和形成光检测器的方法在说明书摘要公布了：光伏单元包括：含锗阱，嵌入在单晶硅衬底中并延伸至单晶硅衬底的近侧水平表面，其中，含锗阱包括大于50％原子百分比的锗。含硅覆盖结构位于含锗阱的顶面上，并包括大于42％原子百分比的硅。该含硅覆盖结构防止含锗阱氧化。可通过注入第一导电类型的掺杂剂和第二导电类型的掺杂剂来在沟槽内或横跨沟槽形成光伏结。本申请的实施例还涉及包括光检测器的半导体结构和形成光检测器的方法。
本发明授权包括光检测器的半导体结构和形成光检测器的方法在权利要求书中公布了：1.一种包括光检测器的半导体结构，其中，所述光检测器包括： 含锗阱，嵌入在单晶硅衬底中并延伸至所述单晶硅衬底的近侧水平表面，其中，所述含锗阱包括大于50％原子百分比的锗；以及 含硅覆盖结构，位于所述含锗阱的顶面上，并包括大于42％原子百分比的硅原子， 其中： 所述含锗阱包括光伏结，所述光伏结包括第一导电类型含锗区和第二导电类型含锗区； 其中，所述含硅覆盖结构包括： 第一导电类型硅区，与所述第一导电类型含锗区接触；以及 第二导电类型硅区，与所述第二导电类型含锗区接触。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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