北京北方华创微电子装备有限公司赵晋荣获国家专利权
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龙图腾网获悉北京北方华创微电子装备有限公司申请的专利加热结构和半导体工艺设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113727478B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-11发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111019882.2，技术领域涉及：H05B3/54；该发明授权加热结构和半导体工艺设备是由赵晋荣;王松;韦刚;陈星;许金基;张郢设计研发完成，并于2021-09-01向国家知识产权局提交的专利申请。
本加热结构和半导体工艺设备在说明书摘要公布了：本发明提供一种用于半导体工艺设备的加热结构，加热结构设置于介质窗和射频线圈之间，加热结构包括加热层，加热层设置于介质窗上；加热层包括加热丝，加热丝围绕介质窗中心呈辐射状盘绕，加热丝包括多个沿介质窗的径向延伸的辐条段，且每条辐条段的两端分别与两侧相邻两条辐条段中的一条的临近端连接。在本发明中，加热丝径向绕制形成的加热层设置在介质窗与射频线圈之间，从而在避免产生涡旋电流的同时，实现对介质窗的表面进行均匀加热，提高了工艺腔室中温度场的均匀性；并且，加热层还能减小上电极电感耦合放电中寄生的容性耦合电场，提高工艺腔室中电场的均匀性；此外，还为上电极提供了更大的散热空间。本发明还提供一种半导体工艺设备。
本发明授权加热结构和半导体工艺设备在权利要求书中公布了：1.一种用于半导体工艺设备的加热结构，其特征在于，所述加热结构设置于介质窗和射频线圈之间，所述加热结构包括加热层和屏蔽层，所述加热层设置于所述介质窗上，所述屏蔽层设置于所述加热层上方； 所述加热层包括加热丝，所述加热丝围绕所述介质窗中心呈辐射状盘绕，所述加热丝包括多个沿所述介质窗的径向延伸的辐条段，且每条所述辐条段的两端分别与两侧相邻两条所述辐条段中的一条的临近端连接，所述加热层由所述加热丝径向绕制形成，并且所述加热丝沿角向、径向均匀铺展在所述介质窗的表面，并且所述加热丝对所述介质窗的表面覆盖率为5％至20％； 所述屏蔽层为导电材质，所述屏蔽层上设有多个沿周向环绕设置的扇形孔； 多个所述扇形孔在所述介质窗上的投影位于所述加热丝在所述介质窗上的投影内；并且所述扇形孔的宽度设置为使得所述屏蔽层对所述介质窗的表面覆盖率为40％至65％。
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