东京毅力科创株式会社蔡宇浩获国家专利权
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龙图腾网获悉东京毅力科创株式会社申请的专利通过选择性氮化硼或氮化铝沉积的高度选择性氧化硅/氮化硅蚀刻获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113785383B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-11发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202080033390.6，技术领域涉及：H01L21/311；该发明授权通过选择性氮化硼或氮化铝沉积的高度选择性氧化硅/氮化硅蚀刻是由蔡宇浩;张度;王明美设计研发完成，并于2020-06-16向国家知识产权局提交的专利申请。
本通过选择性氮化硼或氮化铝沉积的高度选择性氧化硅/氮化硅蚀刻在说明书摘要公布了：一种用于相对于氮化硅选择性蚀刻氧化硅的方法包括：将衬底暴露于第一气体，该第一气体在氧化硅膜上形成第一层并且在氮化硅膜上形成第二层，其中该第一气体含有硼、铝、或硼和铝二者；将该衬底暴露于含氮气体，该含氮气体与该第一层反应在该氧化硅膜上形成第一氮化物层，并且与该第二层反应在该氮化硅膜上形成第二氮化物层，其中该第二氮化物层的厚度大于该第一氮化物层的厚度。该方法进一步包括将该衬底暴露于蚀刻气体，该蚀刻气体蚀刻该第一氮化物层和氧化硅膜，其中该第二氮化物层保护该氮化硅膜免于被该蚀刻气体蚀刻。
本发明授权通过选择性氮化硼或氮化铝沉积的高度选择性氧化硅/氮化硅蚀刻在权利要求书中公布了：1.一种衬底加工方法，其包括： 提供含有氧化硅膜和氮化硅膜的衬底； a1将该衬底暴露于第一气体，该第一气体在该氧化硅膜上形成第一层并在该氮化硅膜上形成第二层，其中该第一气体含有硼、铝、或硼和铝两者； a2将该衬底暴露于含氮气体，该含氮气体与该第一层反应在该氧化硅膜上形成第一氮化物层，并与该第二层反应在该氮化硅膜上形成第二氮化物层，其中该第二氮化物层的厚度大于该第一氮化物层的厚度；以及 a3将该衬底暴露于蚀刻气体，该蚀刻气体蚀刻该第一氮化物层和该氧化硅膜，其中该第二氮化物层保护该氮化硅膜免于被该蚀刻气体蚀刻。
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