卡尔蔡司SMT有限责任公司;卡尔蔡司SMT股份有限公司T.科尔布获国家专利权
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龙图腾网获悉卡尔蔡司SMT有限责任公司;卡尔蔡司SMT股份有限公司申请的专利具有改良3D体积图像重建精度的横截面成像获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113950704B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-11发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202080042099.5，技术领域涉及：G06T7/33；该发明授权具有改良3D体积图像重建精度的横截面成像是由T.科尔布;J.T.纽曼;E.福卡;A.布克斯鲍姆;A.阿维谢;K.李;I.舒尔迈耶;D.克洛奇科夫设计研发完成，并于2020-05-25向国家知识产权局提交的专利申请。
本具有改良3D体积图像重建精度的横截面成像在说明书摘要公布了：本发明涉及一种通过集成电路的横截面测量进行的三维电路图案检测技术，尤其涉及一种用于获得集成半导体样品的3D体积图像的方法、计算机程序产品以及设备。该方法采用基于集成半导体样品的特征的横截面图像的基于特征的对准。
本发明授权具有改良3D体积图像重建精度的横截面成像在权利要求书中公布了：1.一种通过基于集成半导体样品的特征的对准获得集成半导体样品的3D体积图像的方法，其特征在于： 获得至少第一横截面图像和第二横截面图像，该第二横截面图像平行于该第一横截面图像， 其中，获得所述第一横截面图像和第二横截面图像包括随后使用聚焦离子束去除该集成半导体样品的横截面表面层，以使得一新横截面可用于成像，并采用成像装置成像该集成半导体样品的该新横截面， 通过所述至少第一横截面图像和第二横截面图像中的每个的图像配准获得所述至少第一横截面图像和第二横截面图像的基于特征的对准， 其中，该图像配准基于至少所述第一横截面图像和第二横截面图像中的该集成半导体样品的至少一个共同特征来执行， 其中，该至少一个共同特征包含金属线路、过孔、HAR结构、HAR通道或栅极结构中的至少一个，以及 其中，该方法包括在该基于特征的对准之前，通过对准标记的位置的测量和评估提供所述至少第一横截面图像和第二横截面图像的基于基准点的对准。
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