三星电子株式会社曹圭镐获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉三星电子株式会社申请的专利电容器及制造电容器和半导体器件的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113964269B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-11发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111189869.1，技术领域涉及：H10D1/62；该发明授权电容器及制造电容器和半导体器件的方法是由曹圭镐;姜相列;金洙焕;文瑄敏;朴瑛琳;徐钟汎;全柱炫设计研发完成，并于2018-04-23向国家知识产权局提交的专利申请。
本电容器及制造电容器和半导体器件的方法在说明书摘要公布了：电容器包括：彼此间隔开的第一电极和第二电极；电介质层，设置在第一电极和第二电极之间，电介质层包括铪和锆中至少之一；第一插入层，设置在第一电极和电介质层之间；以及第二插入层，设置在电介质层和第二电极之间。第一插入层包括与形成电介质层的铪或锆不同的第一导电材料。第二插入层包括与形成电介质层的铪或锆不同的第二导电材料。第一导电材料和第二导电材料各自的晶格常数与电介质层的电介质材料的水平晶格常数具有2％或更小的晶格失配。
本发明授权电容器及制造电容器和半导体器件的方法在权利要求书中公布了：1.一种电容器，包括： 彼此间隔开的第一电极和第二电极； 电介质层，设置在所述第一电极和所述第二电极之间，所述电介质层包括具有四方晶体结构的氧化铪或具有四方晶体结构的氧化锆； 第一籽晶层，设置在所述第一电极和所述电介质层之间；以及 第二籽晶层，设置在所述电介质层和所述第二电极之间， 其中，所述第一籽晶层包括与在所述电介质层中包括的铪元素或锆元素不同的第一导电材料， 其中，所述第二籽晶层包括与在所述电介质层中包括的铪元素或锆元素不同的第二导电材料，并且 其中，所述第一导电材料和所述第二导电材料各自的晶格常数与所述电介质层的电介质材料的水平晶格常数具有2%或更小的晶格失配。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人三星电子株式会社，其通讯地址为：韩国京畿道；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
以上内容由龙图腾AI智能生成。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号
请提出您的宝贵建议，有机会获取IP积分或其他奖励