苏州苏大维格科技集团股份有限公司罗明辉获国家专利权
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龙图腾网获悉苏州苏大维格科技集团股份有限公司申请的专利一种具有斜面型纳米结构的波导镜片及其制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113970807B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-11发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010724772.5，技术领域涉及：G02B6/13；该发明授权一种具有斜面型纳米结构的波导镜片及其制作方法是由罗明辉;乔文;陈林森设计研发完成，并于2020-07-24向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种具有斜面型纳米结构的波导镜片及其制作方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种具有斜面型纳米结构的波导镜片的制作方法，该方法包括，提供一波导衬底；在波导衬底表面制备一光刻胶层；在光刻胶层的表面至少选择2个区域，并对区域进行图形化处理，获得图形光刻胶以及图形凹槽；采用阴影镀膜的方式在图形光刻胶上以及图形凹槽底部中未被图形光刻胶遮挡的表面形成覆盖层；采用正向或微倾刻蚀的方式在波导衬底形成多个斜面型纳米结构；去除剩余的覆盖层和光刻胶层。本发明还公开了一种具有斜面型纳米结构的波导镜片，采用上述的具有斜面型纳米结构的波导镜片的制作方法制作，对区域未被覆盖层遮挡的部分和覆盖层同时进行蚀刻，实现斜面型纳米结构制备，降低制备难度，且具备高可控度。
本发明授权一种具有斜面型纳米结构的波导镜片及其制作方法在权利要求书中公布了：1.一种具有斜面型纳米结构的波导镜片的制作方法，其特征在于，该方法包括： 提供一波导衬底； 在所述波导衬底表面制备一光刻胶层； 在所述光刻胶层的表面至少选择2个区域，并对所述区域进行图形化处理，获得图形光刻胶以及裸露所述波导衬底表面的图形凹槽； 镀膜，在所述图形光刻胶上以及所述图形凹槽底部中未被所述图形光刻胶遮挡的表面形成覆盖层，所述覆盖层覆盖凸起的所述图形光刻胶的顶部表面和所述图形光刻胶一侧的侧面，以及未被所述图形光刻胶遮挡的所述图形凹槽的部分底部，从而使所述覆盖层具有多个斜面型的表面； 采用正向或微倾刻蚀的方式对所述波导衬底和所述覆盖层，或者，所述波导衬底、所述覆盖层和所述图形光刻胶进行蚀刻； 去除剩余的所述覆盖层和所述光刻胶层，得到与所述波导衬底成一体的斜面型纳米结构。
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