英飞凌科技股份有限公司R·费勒获国家专利权
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龙图腾网获悉英飞凌科技股份有限公司申请的专利电路和形成电路的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113972187B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-11发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110835936.6，技术领域涉及：H01L23/522；该发明授权电路和形成电路的方法是由R·费勒;S·尤费列夫设计研发完成，并于2021-07-23向国家知识产权局提交的专利申请。
本电路和形成电路的方法在说明书摘要公布了：提供了一种电路。所述电路可包括：功率级，其包括第一晶体管和第二晶体管；包封物，其包括包封功率级的包封材料，其中，第一晶体管和第二晶体管沿它们的长轴相对于彼此布置成L形；以及布置在包封物上或至少部分地嵌入包封物内的无源电子部件，其在俯视图中处于由L形配置限定的矩形区域内并进一步邻近第一晶体管和第二晶体管。
本发明授权电路和形成电路的方法在权利要求书中公布了：1.一种电路，包括： 功率级，其包括第一晶体管Q1和第二晶体管Q2； 包封物，其包括包封功率级的包封材料； 其中，第一晶体管Q1和第二晶体管Q2沿它们的长轴相对于彼此布置成L形；以及 布置在包封物上或至少部分地嵌入包封物内的电容器，其在俯视图中处于由L形配置限定的矩形区域内并进一步邻近第一晶体管Q1和第二晶体管Q2，所述矩形区域定义如下：在第一方向上，所述矩形区域与第一晶体管Q1的内边缘相邻并且长度对应于第二晶体管Q2的长轴的长度与第一晶体管Q1的短轴的长度的差值，并且在与第一方向正交的第二方向上，所述矩形区域与第二晶体管Q2的内边缘相邻并且长度对应于第一晶体管Q1与第二晶体管Q2之间的间隔和第一晶体管Q1的长轴的长度之和， 其中，所述电容器完全布置在矩形区域中。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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