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深圳市中科先见医疗科技有限公司赵赛赛获国家专利权

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龙图腾网获悉深圳市中科先见医疗科技有限公司申请的专利一种视网膜假体的制备方法及视网膜假体获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN114028715B

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-11发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202111440686.2,技术领域涉及:A61N1/36;该发明授权一种视网膜假体的制备方法及视网膜假体是由赵赛赛;梁业兴设计研发完成,并于2021-11-30向国家知识产权局提交的专利申请。

一种视网膜假体的制备方法及视网膜假体在说明书摘要公布了:本申请提供了一种视网膜假体的制备方法和视网膜假体,应用于视网膜假体集成电路IC芯片的制备。本申请通过制备光控纳米线阵列作为所述IC芯片的电刺激信号开关,并使用柔性电极将纳米线和IC芯片集成。在所述纳米线阵列某个区域受到光信号照射时,相当于使所述纳米线阵列被照射区域阻抗显著下降,所连接的IC芯片的电脉冲得以通过低阻抗区域输出,进而对视网膜上的视神经细胞进行刺激,克服光电转换效率低的瓶颈,也克服高通道数的电刺激需要高密度IC芯片管脚和封装的困难,有利于视网膜假体像素和刺激效果的大幅提升。

本发明授权一种视网膜假体的制备方法及视网膜假体在权利要求书中公布了:1.一种视网膜假体的制备方法,其特征在于,应用于视网膜假体集成电路IC芯片的制备,所述方法包括: 制备IC芯片; 制备柔性电极; 在所述IC芯片的第一端面集成纳米线阵列,所述纳米线阵列的每个纳米线分别与所述IC芯片在所述第一端面上电连接;当所述纳米线阵列受到预设频率范围的光照后,被光信号照射到的纳米线阵列区域的阻抗大幅下降,以提高被照射纳米线阵列区域的IC芯片输出管脚的刺激电流,被提高后的所述刺激电流高于视网膜的神经细胞刺激阈值;将所述柔性电极与所述IC芯片的第二端面电连接,得到集成芯片;或者,制备设置有所述纳米线的基板,并将所述IC芯片、柔性电极和纳米线基板依次集成在一起,得到所述集成芯片;其中在上的纳米线阵列中的纳米线微柱阵列可以选择薄膜封装或者裸露在外; 依次在所述集成芯片上封装至少一层有机薄膜层和至少一层无机薄膜层,得到所述视网膜假体;其中,针对超薄的视网膜假体,采用有机薄膜层和无机薄膜层构成的复合多层薄膜封装所述集成芯片;所述纳米线阵列露出在所述复合多层薄膜外,被照射区域阻抗更小,所述IC芯片和所述柔性电极则被包裹在所述复合多层薄膜之中;所述有机薄膜层的厚度为0.5-60μm,所述无机薄膜层的厚度为20-100nm;所述有机薄膜层的具有生物相容性的派瑞林薄膜包括N型、C型、D型或HT型。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术,可联系本专利的申请人或专利权人深圳市中科先见医疗科技有限公司,其通讯地址为:518000 广东省深圳市龙岗区龙城街道青春路启迪协信科技园产业促进中心3楼301-10;或者联系龙图腾网官方客服,联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

以上内容由龙图腾AI智能生成。

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