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龙图腾网获悉上海东软载波微电子有限公司申请的专利复位装置及电源装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114050814B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-11发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111345623.9，技术领域涉及：H03K17/22；该发明授权复位装置及电源装置是由孙浩;吕洁洁;陈光胜设计研发完成，并于2021-11-15向国家知识产权局提交的专利申请。

本复位装置及电源装置在说明书摘要公布了：本申请提供一种复位装置及电源装置。复位装置包括：第一复位电路、第二复位电路、或门、第一反相器、第二反相器以及第三反相器；其中，所述第一复位电路和所述第二复位电路均连接至电源；第一反相器的输入端与第一复位电路的输出端连接，第一反相器的输出端与或门的第一输入端连接；第二反相器的输入端与第二复位电路的输出端连接，第二反相器的输出端与或门的第二输入端连接；或门的输出端连接第三反相器的输入端，第三反相器的输出端用于输出复位信号。本申请的方案，能够实现在不同场景的有效复位，提高复位的可靠性。

本发明授权复位装置及电源装置在权利要求书中公布了：1.一种复位装置，其特征在于，包括：第一复位电路、第二复位电路、或门、第一反相器、第二反相器以及第三反相器；其中，所述第一复位电路和所述第二复位电路均连接至电源； 所述第一复位电路，用于响应于电源快速上电和电源慢速上电，对应输出第一快速上电复位信号和第一慢速上电复位信号；以及，响应于电源慢速下电和电源快速下电，对应输出第一慢速下电跟随信号和第一快速下电跟随信号； 所述第二复位电路，用于响应于电源慢速上电、电源慢速下电以及电源快速下电，对应输出第二慢速上电复位信号、第二慢速下电复位信号以及第二快速下电复位信号；以及，响应于电源快速上电，输出第二快速上电跟随信号； 所述第一反相器的输入端与所述第一复位电路的输出端连接，所述第一反相器的输出端与所述或门的第一输入端连接；所述第二反相器的输入端与所述第二复位电路的输出端连接，所述第二反相器的输出端与所述或门的第二输入端连接；所述或门的输出端连接所述第三反相器的输入端，所述第三反相器的输出端用于输出复位信号； 所述第一复位电路，包括：电压生成电路和第一比较电路；其中， 所述电压生成电路的输入端连接电源，所述电压生成电路用于基于所述电源，分别通过第一输出端和第二输出端输出第一电压信号和第二电压信号；其中，第一电压信号和第二电压信号的大小关系反映所述电源的状态； 所述第一比较电路的第一输入端连接所述电压生成电路的第一输出端，所述第一比较电路的第二输入端连接所述电压生成电路的第二输出端；所述第一比较电路的输出端，作为所述第一复位电路的输出端，连接所述第一反相器的输入端；所述第一比较电路，用于基于所述第一电压信号和第二电压信号，输出信号； 所述电压生成电路，包括：第一PMOS晶体管、第二PMOS晶体管、第一NMOS晶体管、第二NMOS晶体管以及第一阻抗元件；其中， 所述第一PMOS晶体管的栅极与所述第二PMOS晶体管的栅极连接并接地，所述第一PMOS晶体管的源极与所述第二PMOS晶体管的源极连接，作为所述第一复位电路的输入端，连接至所述电源； 所述第一PMOS晶体管的漏极与所述第一NMOS晶体管的漏极连接和所述第一NMOS晶体管的栅极连接；所述第二PMOS晶体管的漏极与所述第二NMOS晶体管的漏极连接和所述第二NMOS晶体管的栅极连接；所述第一NMOS晶体管的源极与所述第一阻抗元件的第一端连接，所述第一阻抗元件的第二端接地；所述第二NMOS晶体管的源极接地； 所述第一NMOS晶体管的漏极，作为所述电压生成电路的第一输出端，连接至所述第一比较电路的第一输入端；所述第二NMOS晶体管的漏极，作为所述电压生成电路的第二输出端，连接至所述第一比较电路的第二输入端。

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