三星电子株式会社黄贤净获国家专利权
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龙图腾网获悉三星电子株式会社申请的专利半导体封装件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114068506B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-11发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110765738.7，技术领域涉及：H10D80/30；该发明授权半导体封装件是由黄贤净;石敬林;李锡贤;张在权设计研发完成，并于2021-07-07向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体封装件在说明书摘要公布了：一种半导体封装件包括：第一重新分布衬底；第一半导体芯片，其安装在第一重新分布衬底上；第一模制层，其位于第一重新分布衬底上，并且覆盖第一半导体芯片的顶表面和侧表面；第二重新分布衬底，其位于第一模制层上；以及粘合膜，其位于第二重新分布衬底与第一模制层之间。粘合膜与第一半导体芯片间隔开，并且覆盖第一模制层的顶表面。粘合膜的侧表面与第二重新分布衬底的侧表面共面。
本发明授权半导体封装件在权利要求书中公布了：1.一种半导体封装件，包括： 第一重新分布衬底； 第一半导体芯片，其安装在所述第一重新分布衬底上； 第一模制层，其位于所述第一重新分布衬底上，所述第一模制层覆盖所述第一半导体芯片的顶表面和侧表面，所述顶表面远离所述第一重新分布衬底； 第二重新分布衬底，其位于所述第一模制层上，并包括连接焊盘和位于所述连接焊盘的底表面上的连接端子； 导电结构，其将所述第一重新分布衬底连接至所述第二重新分布衬底；以及 粘合膜，其位于所述第二重新分布衬底与所述第一模制层之间， 其中，所述粘合膜与所述第一半导体芯片间隔开，并且覆盖所述第一模制层的顶表面， 其中，所述粘合膜的侧表面与所述第二重新分布衬底的侧表面共面， 所述连接端子包括第一部分和围绕所述第一部分的下部的第二部分，并且 所述第二部分是通过热量和压力迫使所述粘合膜中的导电颗粒流动并聚集在所述导电结构与所述第一部分之间形成的， 其中，所述第二部分覆盖所述导电结构的顶表面； 所述第一部分在第一方向上的最大宽度小于所述导电结构在所述第一方向上的宽度；并且 所述第二部分在所述第一方向上的最大宽度等于所述导电结构在所述第一方向上的宽度，所述第一方向平行于所述第一半导体芯片的顶表面。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人三星电子株式会社，其通讯地址为：韩国京畿道；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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