意法半导体有限公司D·阿德南获国家专利权
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龙图腾网获悉意法半导体有限公司申请的专利具有自对准多晶对多晶隔离的分裂栅沟槽功率MOSFET获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114078710B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-11发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110924322.5，技术领域涉及：H10D30/01；该发明授权具有自对准多晶对多晶隔离的分裂栅沟槽功率MOSFET是由D·阿德南;M·G·卡斯托里纳;阮文征;F·塔希尔设计研发完成，并于2021-08-12向国家知识产权局提交的专利申请。
本具有自对准多晶对多晶隔离的分裂栅沟槽功率MOSFET在说明书摘要公布了：本公开的实施例涉及具有自对准多晶对多晶隔离的分裂栅沟槽功率MOSFET。一种半导体衬底，具有从前表面延伸的沟槽，该沟槽包括下部和上部。第一绝缘层沿沟槽下部排列，下部的第一传导材料通过第一绝缘层与半导体衬底绝缘，以形成晶体管的场板电极。第二绝缘层沿所述沟槽上部的侧壁排列。第三绝缘层对沟槽的上部的底部处的第一传导材料的顶表面加衬。第二传导材料填充沟槽的上部。第二传导材料形成晶体管的栅极电极，该栅极电极通过第二绝缘层与半导体衬底绝缘，并且通过第三绝缘层与第一传导材料进一步绝缘。
本发明授权具有自对准多晶对多晶隔离的分裂栅沟槽功率MOSFET在权利要求书中公布了：1.一种用于制造半导体器件方法，包括： 在半导体衬底中形成沟槽； 利用第一绝缘层对所述沟槽加衬； 利用第一传导材料填充所述沟槽，所述第一传导材料通过所述第一绝缘层与所述半导体衬底绝缘； 使所述第一绝缘层凹陷，以在所述沟槽的环形沟槽部分内暴露所述第一传导材料的上部分； 利用抗蚀剂材料填充所述环形沟槽部分； 显影在所述环形沟槽部分中的所述抗蚀剂材料，以暴露所述第一传导材料的所述上部分的最上部，在所述沟槽的侧壁上留有与所述最上部隔开、并且限定掩模的残余抗蚀剂材料； 使用所述掩模进行蚀刻，以将所述第一传导材料的所述上部分去除至经凹陷的所述第一绝缘层的水平； 去除所述残余抗蚀剂材料，以打开所述沟槽的上部； 利用第二绝缘层对所述沟槽的所述上部的侧壁加衬； 利用第三绝缘层对在所述沟槽的所述上部的底部处的所述第一传导材料的顶表面加衬；以及 在所述沟槽的所述上部中沉积第二传导材料，所述第二传导材料通过所述第二绝缘层与所述半导体衬底绝缘，并且所述第二传导材料通过所述第三绝缘层与所述第一传导材料绝缘。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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