上海集成电路装备材料产业创新中心有限公司;上海集成电路研发中心有限公司时雪龙获国家专利权
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龙图腾网获悉上海集成电路装备材料产业创新中心有限公司;上海集成电路研发中心有限公司申请的专利光刻热点检测方法、装置、电子设备及可读存储介质获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114239398B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-11发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111546352.3，技术领域涉及：G06F30/27；该发明授权光刻热点检测方法、装置、电子设备及可读存储介质是由时雪龙;夏铭阳;燕燕;李琛设计研发完成，并于2021-12-16向国家知识产权局提交的专利申请。
本光刻热点检测方法、装置、电子设备及可读存储介质在说明书摘要公布了：本申请提供一种光刻热点检测方法、装置、电子设备及可读存储介质，该方法包括：获取光刻的掩膜图案，并将掩膜图案经过N个通信信道的处理，得到N个本征图像；将N个本征图像输入经过预先训练的机器学习模型中进行预测，得到预测光刻胶结构图；使用指定的光刻胶厚度从预测光刻胶结构图中提取轮廓图，并将指定的光刻胶厚度对应的轮廓图与预测光刻胶结构图底部的轮廓图相比较来查找光刻胶的光刻热点。这样，可以节省计算时间，以实现全芯片光刻胶结构相关的光刻热点检测；进一步的，可以提高查找光刻热点的准确率。
本发明授权光刻热点检测方法、装置、电子设备及可读存储介质在权利要求书中公布了：1.一种光刻热点检测方法，其特征在于，所述方法包括： 获取光刻的掩膜图案，并提取所述掩膜图案的成像条件，基于所述成像条件确定所述掩膜图案的特征函数集；基于成像方程将所述特征函数集分解成N个通信信道的特征函数信息；获取所述掩膜图案的掩膜传输函数，并基于所述掩膜传输函数和N个所述特征函数信息分别计算所述掩膜图案的近似信息，得到N个本征图像； 将所述N个本征图像输入经过预先训练的机器学习模型中进行预测，得到预测光刻胶结构图； 使用指定的光刻胶厚度从所述预测光刻胶结构图中提取轮廓图，并将所述轮廓图与所述预测光刻胶结构图底部的轮廓图相比较来查找光刻胶的光刻热点。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人上海集成电路装备材料产业创新中心有限公司;上海集成电路研发中心有限公司，其通讯地址为：201821 上海市嘉定区叶城路1288号6幢JT2216室；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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