纬湃科技有限责任公司C·奎斯特-马特获国家专利权
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龙图腾网获悉纬湃科技有限责任公司申请的专利功率半导体器件和制造功率半导体器件的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114450783B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-11发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202080070875.2，技术领域涉及：H01L23/367；该发明授权功率半导体器件和制造功率半导体器件的方法是由C·奎斯特-马特;D·巴贡;D·沃尔夫设计研发完成，并于2020-10-06向国家知识产权局提交的专利申请。
本功率半导体器件和制造功率半导体器件的方法在说明书摘要公布了：说明了一种功率半导体器件1，具有‑布置在壳体4内的功率半导体元件2，其中散热器6暴露在所述壳体4的第一表面5上；‑具有第一主表面12和第二主表面14的布线衬底10，所述布线衬底容纳具有所述功率半导体元件2的壳体4，其中具有增加的导热性的冷却区域16布置在所述第二主表面14上；其中所述壳体4布置在所述布线衬底10上，使得所述散热器6经由焊料层2连接到所述冷却区域16，其中布置在所述散热器6与所述冷却区域16之间的一定数量的间隔保持器28嵌入在所述焊料层20中。还说明了一种用于制造功率半导体器件的方法。
本发明授权功率半导体器件和制造功率半导体器件的方法在权利要求书中公布了：1.一种功率半导体器件1，具有 -布置在壳体4内的功率半导体元件2，其中散热器6暴露在所述壳体4的第一表面5上； -具有第一主表面12和第二主表面14的布线衬底10，所述布线衬底容纳具有所述功率半导体元件2的壳体4，其中具有增加的导热性的冷却区域16布置在所述第二主表面14上； 其中所述壳体4布置在所述布线衬底10上，使得所述散热器6经由焊料层20连接到所述冷却区域16，其中布置在所述散热器6与所述冷却区域16之间的一定数量的间隔保持器28嵌入在所述焊料层20中，其中所述间隔保持器28由表面安装器件SMD粘合剂构成，其中所述SMD粘合剂包括基于环氧树脂的导电粘合剂。
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