买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网获悉龙腾半导体股份有限公司申请的专利一种改善EMI的超结结构及制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114464533B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-11发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111577977.6，技术领域涉及：H10D30/01；该发明授权一种改善EMI的超结结构及制造方法是由肖晓军;胡丹丹设计研发完成，并于2021-12-22向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种改善EMI的超结结构及制造方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种改善EMI的超结结构及制造方法，在N+衬底上交替生长外延层N‑和外延层N‑2；在N‑外延表面，刻蚀出深沟槽后生长P型外延，进行CMP工艺，形成N柱P柱相交替的超结结构；通过PW光刻板注入体区并退火形成PWELL区，淀积场氧层成并回刻，形成器件的栅结构；注入As并退火形成器件的源极N‑source；淀积ILD并回刻，孔注，最后淀积金属并回刻，形成器件的最终结构。本发明通过器件外延结构的优化，改善了器件的C‑V特性，使EMI性能得以改善，同时减小了器件的特征导通电阻，降低器件的导通损耗，提升了器件效率。

本发明授权一种改善EMI的超结结构及制造方法在权利要求书中公布了：1.一种超结MOSFET结构的制造方法，其特征在于： 所述方法包括以下步骤： 步骤1：在N+衬底上生长一层外延层N-，再长一层外延层N-2； 步骤2：在外延层N-2的上面继续生长外延层N-，再长一层外延层N-2,继续生长外延层N-至达到目标外延厚度；其中，所述外延层N-与N-2交替堆叠三次，且三次生长的外延层N-厚度依次减少； 步骤3：在N-外延表面，通过Trench光刻板，刻蚀出深沟槽后生长一定浓度的P型外延，使之填充满沟槽，进行CMP工艺，将沟槽外的P型外延及N型外延一并去掉，形成N柱P柱相交替的超结结构； 步骤4：通过PW光刻板注入体区并退火形成PWELL区，淀积场氧层成并回刻，通过栅氧Gox、多晶硅淀积回刻形成器件的栅结构； 步骤5：注入As并退火形成器件的源极N-source； 步骤6：淀积ILD并回刻，孔注，最后淀积金属并回刻，形成器件的最终结构； 所述外延层N-的电阻率为外延层N-2的2倍； 所述外延层N-2厚度为2μm； 步骤1中，外延层N-厚度为目标外延厚度的60%； 步骤2中，第一次生长外延层N-时，厚度达到目标外延厚度的90%。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人龙腾半导体股份有限公司，其通讯地址为：710018 陕西省西安市未央区经济技术开发区凤城十二路1号出口加工区；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

以上内容由龙图腾AI智能生成。