日产化学株式会社绪方裕斗获国家专利权
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龙图腾网获悉日产化学株式会社申请的专利抗蚀剂下层膜形成用组合物获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114503032B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-11发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202080070907.9，技术领域涉及：G03F7/11；该发明授权抗蚀剂下层膜形成用组合物是由绪方裕斗;西卷裕和;中岛诚设计研发完成，并于2020-10-05向国家知识产权局提交的专利申请。
本抗蚀剂下层膜形成用组合物在说明书摘要公布了：本发明提供表现出高耐蚀刻性、良好的干蚀刻速度比及光学常数，对所谓高低差基板被覆性也良好、埋入后的膜厚差小、可形成平坦膜的抗蚀剂下层膜形成用组合物。另外还提供使用了该抗蚀剂下层膜形成用组合物的抗蚀剂下层膜、以及半导体装置的制造方法。该抗蚀剂下层膜形成用组合物包含具有下述式1所示的部分结构的聚合物和溶剂。式中，Ar表示可以被取代的碳原子数为6～20的芳香族基团。
本发明授权抗蚀剂下层膜形成用组合物在权利要求书中公布了：1.一种抗蚀剂下层膜形成用组合物，其包含具有下述式1所示的部分结构的重均分子量Mw为2200以下的聚合物和溶剂； 式中，Ar表示被选自碳原子数为1～20的烷基、稠环基、杂环基、羟基、氨基、硝基、醚基、烷氧基、氰基和羧基组成的组中的至少一个基团进行了单个取代或多个取代的取代的碳原子数为6～20的芳香族基团，或未取代的碳原子数为6～20的芳香族基团， 具有式1所示的部分结构的聚合物为 或 与取代或未取代的碳原子数6～20的芳香族羧酸的反应产物。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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