浙江驰拓科技有限公司简红获国家专利权
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龙图腾网获悉浙江驰拓科技有限公司申请的专利磁性隧道结自由层及具有其的磁性隧道结结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114551716B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-11发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011349124.2，技术领域涉及：H10N50/85；该发明授权磁性隧道结自由层及具有其的磁性隧道结结构是由简红;宫俊录;孙一慧;孟凡涛设计研发完成，并于2020-11-26向国家知识产权局提交的专利申请。
本磁性隧道结自由层及具有其的磁性隧道结结构在说明书摘要公布了：本发明提供了一种磁性隧道结自由层及具有其的磁性隧道结结构。该磁性隧道结自由层包括沿第一方向顺序层叠的第一磁性复合层、反铁磁间隔结构和第二磁性复合层，在反铁磁间隔结构的作用下第一磁性复合层与第二磁性复合层呈反铁磁耦合，磁化方向相反。由于上述结构采用多层磁性复合层，在控制磁化方向垂直于薄膜界面的同时，增加磁性层的总体厚度，从而增大器件的数据保持能力。并且，为降低写入电流，上述结构使得不同的磁性复合层磁化方向相反，降低整体结构的总磁矩，从而降低写入电流，实现高的器件耐擦写能力。此外，该结构可获得较高的TMR，提高了数据读取速度。
本发明授权磁性隧道结自由层及具有其的磁性隧道结结构在权利要求书中公布了：1.一种磁性隧道结自由层，其特征在于，包括沿第一方向顺序层叠的第一磁性复合层50、反铁磁间隔结构60和第二磁性复合层70，在所述反铁磁间隔结构60的作用下所述第一磁性复合层50与所述第二磁性复合层70呈反铁磁耦合，磁化方向相反；所述反铁磁间隔结构60包括沿所述第一方向或与所述第一方向相反的方向顺序层叠的间隔膜610和反铁磁耦合层620，所述间隔膜610为非磁间隔层，或所述间隔膜610包括沿所述第一方向叠置的多层间隔子膜，所述间隔子膜610中的至少一层为非磁性间隔子膜；所述非磁间隔层或所述非磁性间隔子膜为氧化物，所述非磁间隔层或所述非磁性间隔子膜的材料包括MgO、AlOx、MgAlOx、TiOx、TaOx、GaOx和FeOx中的任一种或多种；所述反铁磁耦合层620的材料包括Ru、Ir和Cr中的任一种或多种；所述磁性隧道结自由层还包括位于所述第二磁性复合层70远离所述反铁磁间隔结构60一侧的增强层80，所述增强层80的材料为MgAl2O4。
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