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龙图腾网获悉深圳市紫光同创电子有限公司申请的专利电平转换电路获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114598315B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-11发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210250039.3，技术领域涉及：H03K19/0185；该发明授权电平转换电路是由王佩宁;王先宏;梁爱梅;温长清设计研发完成，并于2022-03-14向国家知识产权局提交的专利申请。

本电平转换电路在说明书摘要公布了：本发明公开了一种电平转换电路。该电平转换电路包括第三PMOS管、第四PMOS管、第一双向二极管单元、第二双向二极管单元、第一反相器，当低电压输入端输入低逻辑信号电平时，通过第一反相器转换成第一电压输出电平，进入第二双向二极管单元，第一电压输出电平通过第四PMOS管，其高电压输出电平被拉低到第一电压输出电平，将低逻辑信号的第一电压输出电平从高压输出端输出，当低电压输入端输入高逻辑信号电平时，高逻辑信号电平通过进入第一双向二极管单元，第三PMOS管、第四PMOS管的漏极被拉高到高电压输出电平，将高逻辑信号的高电压输出电平为从输出端输出。其可保证该电平转换电路可以工作在超压状态。

本发明授权电平转换电路在权利要求书中公布了：1.一种电平转换电路，包括：低电压输入端、第一NMOS管、第二NMOS管、第一PMOS管、第二PMOS管和输出端，其特征在于，其还包括： 第三PMOS管、第四PMOS管、第一双向二极管单元、第二双向二极管单元、第一反相器，所述第一NMOS管的栅极与所述低电压输入端电性连接，所述第一NMOS管的漏极与所述第一双向二极管单元的一端电性连接，所述第一NMOS管的源极接地，所述第一双向二极管单元的另一端与所述第三PMOS管的漏极电性连接，所述第二NMOS管的栅极与所述第一反相器的输出端电性连接，所述第一反相器的输入端与所述低电压输入端电性连接，所述第二NMOS管的漏极与所述第二双向二极管单元的一端电性连接，所述第二NMOS管的源极接地，所述第二双向二极管单元的另一端与所述第四PMOS管的漏极电性连接，所述第一PMOS管的源极与第三电源电性连接，所述第一PMOS管的漏极与所述第三PMOS管的源极电性连接，所述第二PMOS管的漏极与所述第四PMOS管的源极电性连接，所述第二PMOS管的源极与第三电源电性连接，所述第三PMOS管的栅极接入第一偏置电压，所述第四PMOS管的栅极接入第一偏置电压，当所述低电压输入端输入低逻辑信号电平时，低逻辑信号电平通过第一反相器转换成第一电压输出电平，进入第二NMOS管及所述第二双向二极管单元，第一电压输出电平通过第四PMOS管、第一PMOS管、第二PMOS管被拉低，故关闭其上拉通路，将第一电压输出电平从输出端输出，当所述低电压输入端输入高逻辑信号电平时，高逻辑信号电平通过第一NMOS管进入所述第一双向二极管单元，所述第二PMOS管、第三PMOS管、第四PMOS管的漏极被拉高，将高电压输出电平从输出端输出； 所述第一双向二极管单元包括：第七NMOS管和第十一PMOS管，所述第二双向二极管单元包括：第八NMOS管和第十二PMOS管，所述第七NMOS管的栅极与所述第十一PMOS管的源极电性连接，所述第七NMOS管的源极与所述第一NMOS管的漏极电性连接，所述第七NMOS管的漏极与所述第十一PMOS管的漏极电性连接，所述第十一PMOS管的栅极与所述第七NMOS管的源极电性连接，所述第八NMOS管的栅极与所述第十二PMOS管的源极电性连接，所述第八NMOS管的源极与所述第二NMOS管的漏极电性连接，所述第八NMOS管的漏极与所述第十二PMOS管的漏极电性连接，所述第十二PMOS管的栅极与所述第八NMOS管的源极电性连接； 所述电平转换电路还包括：电平反馈单元，所述电平反馈单元包括：第九PMOS管、第十PMOS管，所述第九PMOS管的栅极接入所述第一偏置电压，所述第九PMOS管的源极与所述第二PMOS管的栅极电性连接，所述第九PMOS管的漏极与所述第三PMOS管的漏极以及所述第十一PMOS管的源极电性连接，所述第十PMOS管的栅极接入所述第一偏置电压，所述第十PMOS管的源极与所述第一PMOS管的栅极电性连接，所述第十PMOS管的漏极与所述第四PMOS管的漏极以及第十二PMOS管的源极电性连接； 所述电平转换电路还包括：上电复位单元，所述上电复位单元包括第七PMOS管、第五NMOS管，所述第七PMOS管的栅极接入复位信号S3_PORN，所述第七PMOS管的源极与第三电源电性连接，所述第七PMOS管的漏极与所述输出端电性连接，所述第五NMOS管的栅极接入第二复位信号S2_PORN的反相信号，所述第五NMOS管的源极接地，所述第五NMOS管的漏极与所述第一双向二极管单元的一端电性连接。

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