东南大学顾兵获国家专利权
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龙图腾网获悉东南大学申请的专利基于电压调节的拓扑边界态调控及谐频产生的装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114660870B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-11发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210258531.5，技术领域涉及：G02F1/35；该发明授权基于电压调节的拓扑边界态调控及谐频产生的装置是由顾兵;李小雪;芮光浩;崔一平设计研发完成，并于2022-03-16向国家知识产权局提交的专利申请。
本基于电压调节的拓扑边界态调控及谐频产生的装置在说明书摘要公布了：本发明公开了一种基于铌酸锂电压调控的拓扑边界态及谐频产生的装置。将铌酸锂按照特定的间隔周期在自由空间中进行有序排列。通过在铌酸锂左右两侧分别加正、负电压，利用电光调制效应，可以使铌酸锂材料的折射率发生改变。与之前研究不同的是，非线性光学效应的增强是由于拓扑结构在边界具有强的局域场。另外，此结构产生的拓扑边界态成等差数列均匀分布，这就意味着当基频光处于其中一个边界模式时，谐频光也处于拓扑边界态的模式，这便使得所有产生的谐频光对结构中的杂质或缺陷免疫并且没有背向散射，结构受拓扑保护。这种基于拓扑保护态的非线性光学效应，为高次谐波产生和其他非线性光学效应的生成提供了一种新的途径。
本发明授权基于电压调节的拓扑边界态调控及谐频产生的装置在权利要求书中公布了：1.一种基于电压调节的拓扑边界态调控及谐频产生的装置，其特征在于，该装置左侧为入射光，右侧为出射光，装置结构为电光材料按设定间距周期排列组成； 所述电光材料为长方体结构的铌酸锂材料，结构为在自由空间中按设定间距周期排列的长方体铌酸锂材料； 所述装置结构，在左半边铌酸锂上下加正电压，右半边铌酸锂上下加负电压; 左半边铌酸锂结构的周期的长度为a，右半边铌酸锂结构的周期的长度为a1，a与a1不相等。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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